「シリコンもグラフェンも超える」、新たな半導体材料をスイスの大学が発表 | EE Times JapanR. Colin Johnson：EE Times （翻訳 田中留美、編集 EE Times Japan） スイスの大学であるÉcole Polytechnique Fédérale de Lausanne（EPFL）の研究グループは、モリブデナイト（二硫化モリブデン、MoS2）を半導体材料として利用できることを発見したと発表した。同グループによれば、MoS2を用いたトランジスタは現在主流の半導体材料であるSi（シリコン）を用いる場合に比べて消費電力が10万分の1と小さい上、トランジスタのサイズを大幅に小型化できるという（図1）。 EPFLによると、MoS2はバンドギャップを持たせることが可能なため、次世代の半導体材料としてグラフェンにも勝るという（参考記事：IBM社、グラフェンFETにバンドギャップを持たせることに成功）。 MoS2は地球上に豊富に存在する鉱物であり、これまでにも合金鋼や
