IBM社、「世界最速」のグラフェン・トランジスタを開発

米IBM社のT.J. Watson Research Centerは2008年12月18日（米国時間）、炭素（C）材料の１種である新たな半導体材料「グラフェン（graphene）」を使って、遮断周波数が26GHzと極めて高いFETを開発したと発表した。グラフェンによるFETとしては「世界最高速だ」（同社）と主張する。 同センターの研究者は、グラフェンによるトランジスタは、炭素の高い電子移動度を活用することで、将来的には100GHzの領域を超えて、シリコン（Si）によるトランジスタでは到達不可能なテラヘルツ（THz）領域の動作を実現できると予測する。 IBM社のフェローでNanometer Scale Science and Technology Groupのマネジャーを務めるPhaedon Avouris氏は、「今回、開発に成功したグラフェン・トランジスタは、150 nmのゲート長で26G