次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減

次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減：福田昭のストレージ通信（179） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（6）（1/2 ページ） 今回は、次世代の3D NANDフラッシュについて解説する。次世代3D NANDフラッシュでは、176層の高層化と、QLC（quadruple level cell）方式の多値化が主流になる。 100層を超える高密度3D NANDの量産が本格化 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日～12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（F

[theatrical]

2025年位には、350LのPLCって感じのNANDフラッシュが出てくるって感じかな。