IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現～書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成

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yooks 電源供給不要で1000万回の書き換え可能で1セルに3ビットもあって、高速性もそこそこありそうで。実現したら「これが答えです」みたいなメモリだ。

2016/05/18 リンク

YaSuYuKi FlashとDRAMの間のキャッシュに最高なメモリになりそうだ

memory

2016/05/19 リンク

myitnews IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現～書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成

2016/05/18 リンク

C_L 「PCMは、中程度または大きな電流を素材に流すことでビットを記録し、低い電圧をかけることで読み取りを行なうというメモリ」EEP-ROMかな

2016/05/18 リンク

yooks 電源供給不要で1000万回の書き換え可能で1セルに3ビットもあって、高速性もそこそこありそうで。実現したら「これが答えです」みたいなメモリだ。

2016/05/18 リンク

Fushihara 実用化するまで寝る

2016/05/18 リンク

tanakh “書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成”

2016/05/18 リンク

sysry75 (PC Watch) IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現～書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成

2016/05/18 リンク

pc_watch IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現～書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成

2016/05/18 リンク

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