わずか400ピコ秒で書き込み可能な世界最速のフラッシュメモリが開発される

上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を大幅に上回っています。 Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection | Nature https://www.nature.com/articles/s41586-025-08839-w Chinese researchers achieve making world's fastest flash memory device: Nature https://www.bastillepost.com/global/article/4760870-chin