産総研：新原理のトランジスタを用いた集積回路の動作を実証

原理的には低い電圧でも動作するシリコントンネルFETのリング発振回路の動作を初めて実証 駆動電流を増大する技術によって回路の動作速度を2倍に向上 トンネルFETを用いた超低消費電力集積回路の実用化に期待 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】ナノCMOS集積グループ 森 貴洋 主任研究員、松川 貴 研究グループ長らは、シリコントンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）を用いたリング発振回路の動作を実現すると共に、動作速度を2倍に向上させた。 トンネルFETは、0.2～0.3V程度の低い電圧での駆動が期待される新しい動作原理によるトランジスタで、超低消費電力集積回路への応用が期待されている。超低消費電力集積回路の実現には、従来の集積回路と同様に、N型とP型の異なる極性のトンネルFETを同一の

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期待されるだけで、到達した訳ではないのね