エントリーの編集
![loading...](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/common/loading@2x.gif)
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
発振回路部の各部品の役割について教えてください。 | タイミングデバイスに関するよくあるご質問 | 村田製作所
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
![アプリのスクリーンショット](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/entry/app-screenshot.png)
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
発振回路部の各部品の役割について教えてください。 | タイミングデバイスに関するよくあるご質問 | 村田製作所
Rf: 帰還抵抗 (Feedback Resistor) 発振回路のバイアスを定める抵抗で、C-MOS ICでは100k~10MΩ (通常1M... Rf: 帰還抵抗 (Feedback Resistor) 発振回路のバイアスを定める抵抗で、C-MOS ICでは100k~10MΩ (通常1MΩ) が使われます。TTL ICでは入出力インピーダンスが低いため1kΩ~10kΩ (通常4.7kΩ) としています。大きすぎると帰還量が減って動作点が不安定になり、小さすぎるとゲインの低下や、電流の増大につながります (最近は多くのICに内蔵されます)。 Rd: 制限抵抗 (Damping Resistor) 負荷容量とローパスフィルタを形成し、高域のゲインを低下させることで、高周波の異常発振を抑えられます。またICのゲインを制限し、ICとセラロックのマッチングがよくなりますので、不要なリンギングが減り、オーバーシュートやアンダーシュートを抑えることができます。kHz帯では数kΩ,MHz帯では数十~百Ωにしますが、特に必要のない場合は不要です。 C