ゼーベック係数の温度依存性について

問題とされているのはペルチェ係数でなくゼーベック係数の温度依存のことですね（確認）？ 話を半導体の場合に限定しますが、ゼーベック係数 α{V/K] は α= k/e{ln(N/c)+A} で表されます[1]←末尾のURL番号 kはボルツマン定数[J/K]、eは素電荷[C]、Nは価電子帯または伝導帯の有効状態密度[1/m^3]、cはキャリア濃度[1/m^3]、Aは定数です。k/eは定数ですので、ゼーベック係数を決めているのは N/c になります。cが大きい金属ではゼーベック係数が小さくなります。ゼーベック係数の温度依存は N/cの温度依存です。 n型半導体の場合、Nは伝導帯の有効状態密度で、これをNcと書くと、Nc=(2πmkT/h^2)^(3/2)、mは電子の有効質量[kg]、Tは絶対温度[K]、hはプランク定数[J・s]です[2]。p型半導体の場合はmを正孔の有効質量とします。この式から