メモリスタ - Wikipedia

メモリスタ (またはメモリスター。英語: memristor, [ˈmɛmrɪstər]; メモリ抵抗器 のかばん語) は、電荷と磁束鎖交（英語版）に関係する非線形2端子（英語版）電気部品である。通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ (memristor) と名づけられた。 1971年に蔡少棠（英語版）によって言及と命名がなされ、これにより、抵抗器、コンデンサ、インダクタも含む基本的な電気部品の理論上のカルテットが完成した[1]。抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。 蔡（英語版）と姜（英語版、朝鮮語版）は後にこの概念をメモリスティブ体系に一般化した[2]。理想的なメモリスタ部品の主要な特性を複数の在来型の部品からなる回路で模倣するようなシステムも、一

[little_elephant]

記事読む限りではすごいことのように思えるけど、２００８年に開発されているのに話題として聞かないってことは、案外に応用ができなかったのかね… 「第4の回路素子」とまで言うのはいくら何でも過大評価しすぎ。

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メモリスタの存在は1971年にLeon Chuaの論文で指摘されていたが、 対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。 しかし、2008年に米ヒューレット・パッカード（HP）研究所により二酸化チタ