東京大学(東大)は4月8日、生きた微生物がどのようにして電気エネルギーを作り出すのか、その仕組みを明らかにし、従来モデルと比較して1000倍以上の効率で細胞から電子を引き抜くことが可能であることを示したと発表した。 同成果は同大大学院工学系研究科先端学際工学専攻・応用化学専攻の岡本章玄 助教、同 橋本和仁 教授、同 中村龍平 助教(現・理化学研究所環境資源科学センター チームリーダー)、南カリフォルニア大学地球科学科のKenneth H. Nealson教授らによるもの。詳細は「米国科学アカデミー紀要(Proceedings of the National Academy of Sciences:PNAS)」に掲載された。 鉄還元微生物は、有機物を酸化することで得た電子を、細胞外にある酸化鉄などの鉱物や電極材料に渡すことで代謝を行っており、この細胞外への電子移動過程(細胞外電子移動過程)は
最近、新聞などで「ナノテク」という言葉を目にしない日はほとんどありません。現実にはナノメーター(nm = 10-9m)までは行かないマイクロメーター(μm = 10-6m)レベルのものもありますが、とにかく小さい物を扱う技術は花盛りです。かつて「大きいことはいいことだ」というフレーズが流行ったことがありましたが、小さいことの利点もいろいろあります。部品が小さくなれば、それを使った機械装置も小さく、持ち運びに便利になりますし、逆に全体の大きさが同じならば、小さいほど多くの部品が詰め込めて高機能になります。典型的なのがLSIやそれを活用したコンピューターですね。細い配管の中や、場合によっては人間の体の中で活動するロボットなども、「小ささ」の「大きな価値」の一つでしょう。また、単に物理的な大きさの問題だけでなく、小さくすることによって新しい機能が発生することもあります。先のLSIの例では、小さく
仕事関数(しごとかんすう、英: work function)は、物質表面において、表面から1個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーのこと。 電子が N + 1 個ある表面系の基底状態の全エネルギー(場合により自由エネルギー)を Etot(N + 1)とする。 表面上の空間は真空であるとすると、系全体のエネルギーはEtot(N + 1)である。 ここで、この表面系から電子を1個無限遠方まで取り出し、電子がN 個になったときを考える。 N個の電子からなる表面系の基底状態の全エネルギーを Etot(N) とし、無限遠方にある電子状態を真空準位 V(∞)とすると、系全体としてはEtot(N) + V(∞) となる。 よって仕事関数 W は、次のように書ける。 化学ポテンシャルをμとすると、N が十分大きければ、であるため、次のように表せる。 温度が絶対零度 (T = 0 K) なら、
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アナログとディジタルサンプリングの違いも学ばせたかったんではないでしょうか? オシロスコープがアナログ式であれば、過渡現象が完全な絵となって見れると思います。 PC+DMMでの測定なら、サンプリングを行いますので、過渡現象が飛び飛びの点でみれます。その点を繋げば絵となるのですが、点から点までの間は実際に計測していないわけなので、あくまで予想ですよね。 その他にも過渡現象の速度も関係してきます。 PC+DMMのサンプリング速度が過渡現象より十分速ければ問題ありませんが、過渡現象に追従できないくらい遅い場合は、オシロスコープと波形が異なるはずです。 最近のオシロスコープはディジタル化されていますので、測定対象によっては、PC+DMMと同じような問題も発生します。
実用的には、N+ P+ n- p- の4つを覚えておけばよいと思います。 (なぜか、+/-と大文字/小文字が連動していますが、習慣がそんなもんだと思ってください。) N+ は、N型不純物濃度の高いN型 →N型MOSFETのソース・ドレイン P+ は、P型不純物濃度の高いP型 →P型MOSFETのソース・ドレイン n- は、N型不純物濃度の薄いN型 →P型MOSFETのNウェル p- は、P型不純物濃度の薄いP型 →N型MOSFETのPウェル 濃度の値は、おおむね、 N+,P+ が、面積1cm^2当たり1E15程度の原子個数以上の不純物(ヒ素/ホウ素)を0.1μm~1μm程度の薄さの中に押し込めたもの、 n-,p- が、面積1cm^2当たり1E14程度の原子個数以下の不純物(リンかヒ素/ホウ素)を1μm程度以上の厚さに拡散させたもの です。 濃度が高い・薄いには、物理的な意味もあるのですが、
半導体は専門では無いですが、材料研究者です。 まず、純シリコンですが、1.1eV程度のエネルギーギャップを持つ半導体で、半金属でも金属でもありません。 デバイス利用される単結晶シリコンは、微量のホウ素をドープしてホール伝導を施したP型の、リンをドープして電子伝導を施したn型半導体が通常で、ドープ量で導電性を自由に調節しています。純シリコンの単結晶ウェーハーは需要が無くてメーカーで出荷しないようで、我々の研究材料としても簡単には手に入りません。 ドープしてあってもあくまで半導体であり、物性物理で言う金属では有りません。それは、簡単な判断基準としては伝導度の温度変化を見れば分かりやすく、金属なら低温にすればほぼ直線的に抵抗が下がりますが、半導体は逆に指数関数的に増加します。 室温で半導体が導電性を示すのは、熱励起によって価電子帯の一部の電子が伝導体に持ち上げられているためで、導電率だけで半導体
Internet 版 11/2/8 版 第6章 MOSFET 能動動作をする半導体デバイスとして、東の横綱をバイポーラトランジスタとするなら、 MOSFET はさながら西の横綱といったところであろう。MOSFET は理解する過程でキャ リアの拡散の概念を必要とせず、オームの法則と電磁気学の基礎があれば理解できる。前 章を読み進めた読者にとっては大変簡単に思われるかもしれない。この章でほぼ集積回路 に登場するすべてのデバイスを理解することになるため、一気に読んで自分のものにして いただきたい。これを理解すれば、半導体デバイスのほとんどをカバーできることであろ う。 1. MOSFET の概略 MOSFET は Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor、金属-酸化物-半導 体接合電界効果トランジスタの略称である。 図 1 に
移動度μはキャリアの散乱時間τに比例します。 比例係数に有効質量が入ってきます。 散乱時間τはキャリアの速度に依存するので、その平均<τ>に比例します。 記憶がうろ覚えですが、ドリフト移動度は<τ>に比例する量ですが、 ホール移動度は<τ^2>/<τ>に比例する量です。 キャリアに速度分布がなければ両者は一致しますが、そうでない場合は 両者が一致する保証はありません。 -------- ドリフト移動度とホール移動度が極端に異なる例は、 キャリアのトラップがある場合です。 ローレンツ力は動いているキャリアにしか作用しないので、 トラップがあっても、ホール移動度はそこそこいい値になります。 例えば、キャリアがその寿命のうちの90%がトラップされていて、 寿命の10%だけ移動度1000cm2/Vsで移動したとします。 ドリフト移動度は、100cm2/Vsという値を出しますが、 ホール移動度は10
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集光型化合物3接合太陽電池で実現 集光型太陽電池セルで世界最高変換効率43.5%を達成 シャープは、レンズで集光した太陽光を電気に変換する集光型化合物3接合太陽電池セルで、世界最高変換効率※143.5%※2を達成しました。 化合物太陽電池セルは、インジウムやガリウムなど、2種類以上の元素からなる化合物を材料とした光吸収層を持つ変換効率の高い太陽電池です。今回開発した太陽電池セルの基本構造は、インジウムガリウムヒ素をボトム層とする3つの光吸収層を効率よく積み上げる当社独自の技術を採用しています。 このたび、3つの光吸収層で集光された太陽光を効率良く電気に変換できることに加え、受光面の電極間隔を最適化し、電気抵抗を最小限に抑えることで、世界最高変換効率※143.5%※2を達成しました。 本件はNEDO※3の「革新的太陽光発電技術研究開発」プロジェクトの一環として開発に取り組んだ結果、ドイツのフ
物質がエネルギー(電磁波、熱)を受け取り、発光する現象をルミネッセンス (luminescence)という。 特にエネルギーが電界で供給されて光る場合が、EL (エレクトロルミネッセンス)である。 従来から、無機材料を利用したエレクトロルミネッセンスが知られていたが、近年になった有機材料を利用したエレクトロルミネッセンスの技術が普及してきた。 これを有機ELという。 海外ではOrganic ELではなく、Organic Light Emitting Diodeと表現する。 発光材料の違いで、有機ELと無機ELとネーミングされているように見えるが、両者の発光の原理はまったく違う。 無機ELは無機化合物(硫化亜鉛等)の薄膜をガラス基板上に蒸着したものである。 無機ELでは、加速された電子を利用する。 加速には、200V程度の電圧が必要である。 これに対し有機ELの原理は発光ダイオード(LED)
信州大学 繊維学部 化学・材料系 機能高分子学課程 谷口彬雄 教授 研究室 小山 俊樹 准教授 市川 結 准教授 established 1996 10月10日:「光合成活動測定装置」に関する記事を追加 8月29日:「有機ELの光で野菜栽培へ」に関する記事を追加 12月21日:「有機ELで光通信」に関する記事を追加 7月12日:信大発ベンチャー「携帯電話使用警告表示装置」に関する記事を追加 6月29日:第�U期知的クラスター創生事業選定 5月1日:信濃乃蹴鞠の会に新聞記事を追加 4月13日:「有機デジタル回路」に関する記事を追加 9月22日:高性能トランジスタに関する記事5件追加 6月28日:有機ELによる3次元形状検査機の開発に関する記事 5月1日:信濃乃蹴鞠の会に新聞記事「蹴鞠のリズム心地よく」を追加 4月24日:「動体視力計」関
この「サイボーグ組織」、細胞のほうは普通の細胞だが、センサーネットワークとしてナノワイヤーとトランジスタが用いられ、これらの電子機器がコンピューターと細胞を直接結びつけているのだとか。 細胞から“サイボーグ組織”を作るには、まずは細胞の成長を促すための足場、“スカフォールド”を用意する。これには動物の結合組織を構成するコラーゲンを使い、その母体にナノワイヤーやトランジスターを組み込んで「ナノエレクトリック・スカフォールド(nanoES)」を作る。すると、組み込まれたセンサー・ネットワークを用いてニューロンや、心臓細胞、筋肉、血管が成長し、“サイボーグ組織”が作られていくというわけだ。 今のところ、ハーバードの研究チームはラットの組織を成長させることを中心に取り組んでいるが、人間の「サイボーグ血管」を1.5センチ成長させることにもすでに成功している。 今は細胞のデータを読み取ることに活用して
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