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シリコン中の極浅高濃度不純物の状態を光電子分光法で解明 -微細MOSトランジスタ用pn接合中のホウ素の活性化状態とその分布を明らかに-(プレスリリース) — SPring-8 Web Site
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シリコン中の極浅高濃度不純物の状態を光電子分光法で解明 -微細MOSトランジスタ用pn接合中のホウ素の活性化状態とその分布を明らかに-(プレスリリース) — SPring-8 Web Site
シリコン中の極浅高濃度不純物の状態を光電子分光法で解明 -微細MOSトランジスタ用pn接合中のホウ素の... シリコン中の極浅高濃度不純物の状態を光電子分光法で解明 -微細MOSトランジスタ用pn接合中のホウ素の活性化状態とその分布を明らかに-(プレスリリース) 微細なシリコンCMOSトランジスタに必須のナノレベル極浅pn接合における高濃度の活性化したホウ素と不活性なホウ素の分離検出およびその深さ方向分布の解明に成功した。シリコン表面近傍の高濃度のホウ素の化学結合状態とその量の軟X線光電子分光法による分析を、シリコンの極薄層を削る毎に繰り返す手法を用いた。今後要求が高まる深さ10 ナノメートル以下で作られる極浅で高い電気伝導性を有する接合形成プロセスの開発に必須の分析技術となると期待される。 微細なシリコンCMOSトランジスタ※1に必須のナノレベル極浅pn接合※2における高濃度の活性化したホウ素と不活性なホウ素の分離検出およびその深さ方向分布の解明に成功した。シリコン表面近傍の高濃度のホウ素の化学