インテル、不揮発性メモリのOptane DC persistent memoryをアプリケーション変更なしで使える「Memory Mode」など発表
インテル、不揮発性メモリのOptane DC persistent memoryをアプリケーション変更なしで使える「Memory Mode」など発表 インテルは、DRAMと同じDDR4スロットに挿してメインメモリとして使える大容量の不揮発性メモリである新製品「Intel Optane DC persistent memory」のベータプログラム開始を発表しました。 これにあわせてクラウドベンダやサーバベンダがIntel Optane DC persistent memoryを用いた製品やサービスの試験的投入をスタート。例えばGoogle Cloudは7テラバイトの大容量メモリを持つ仮想サーバを発表しています。 不揮発性のメインメモリを使うにはアプリケーション対応が必要 Intel Optane DC persistent memoryには2つの特徴があります。1つは不揮発性メモリであること
米Intelと米Micron Technologyは2015年7月28日（米国時間）、新方式の不揮発性メモリーである「3D XPoint」（写真1）を発表した。現在主流の不揮発性メモリーである「NAND」方式のフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、DRAMよりも記録密度が10倍高いとしている。 現在様々なメモリーメーカーが、DRAM並みに高速でありながら、フラッシュメモリー同様に電源をオフにしてもデータが消えないという「不揮発性」を持つ新世代不揮発性メモリーの開発を進めている（関連記事：“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する）。今回、IntelとMicronが発表した3D XPointも、そのような新世代不揮発性メモリーの一つと位置付けられる。両社は3D XPointの用途として、機械学習やストリーミング処理などを挙げている。2015年内にサンプル出荷を開始し、両社がそ
IBMによれば、相変化メモリ（PCM：訳注）は飛躍的な進化を遂げ、コストはフラッシュに近づいたという。例えば、キャッシュやメモリとしてフラッシュやDRAMと併用することや、データベースのアクセスを高速化することも可能になる。 訳注：Phase Change Memory。相変化技術を利用した不揮発性メモリ。 2016年5月上旬にパリで開催された「IEEE International Memory Workshop」でこの飛躍的進化のデモが行われ、IBMはトリプルレベルセル（TLC）PCMをお披露目した。このPCMはセルごとに8レベルの抵抗を判別する。それにより、各セルが1／0ビットを3状態保持できる。 IBMの研究員エバンゲロス・エレフセリウ氏によれば、PCMは読み取り速度200～300ナノ秒、書き込み速度2～4マイクロ秒を実現するという。現在のフラッシュストレージの読み取り速度は数百マイ
ビッグメモリスーパコンピュータPegasusの試験稼働開始 〜第４世代Intel Xeon、NVIDIA H100 PCIe GPU、Intel不揮発性メモリを搭載〜
2022年12月22日 国立大学法人 筑波大学 概要 筑波大学計算科学研究センターは、新たなスーパコンピュータPegasus（ペガサス）の試験稼働の開始を発表しました。演算性能、メモリ帯域幅注1）、メモリサイズを大きく向上させ、計算科学のみならずビッグデータ解析、超大規模AI分野を強力に推進します。 Pegasusに搭載される演算加速装置（GPU）は、倍精度浮動小数点演算注2）における理論ピーク性能が51 TFlops注3）（従来よりも2.7倍高速）であり、CPU（中央演算処理装置）と高帯域幅のPCIe Gen5注4）により世界で初めて接続されます。DDR5メモリ注5）（従来よりも約2倍高速）、不揮発性メモリ注6）を搭載し、大容量メモリまたは超高速ストレージとしての利用が可能です。また、ネットワークについても最新の400Gbpsネットワークプラットフォームを利用します。 Pegasusは1
【５分でわかる最新キーワード解説】次世代不揮発性メモリ「ReRAM」って何だ？ | エンタープライズ | マイナビニュース
日々進歩するIT技術は、ともすると取り残されてしまいそうな勢いで進化の速度を高めています。そこでキーマンズネット編集部がお届けするのが「5分でわかる最新キーワード解説」。このコーナーを読めば、最新IT事情がスラスラ読み解けるようになることうけあい。忙しいアナタもサラっと読めてタメになる、そんなコーナーを目指します。今回のテーマは、DRAMのような高速性をもちながら、フラッシュメモリと同様に通電しなくてもデータが記憶できる次世代メモリ「ReRAM」。このたびメモリセルアレイの試作と検証という難関を越え、実用化に大きく前進しました。今回は、SSDやシステムメモリのあり方を変革するかもしれないReRAMについて、いったいどんなものなのか、ほかの新世代メモリとの違いも含めて理解しましょう。 ※今回の記事はエルピーダメモリ株式会社に取材の上構成しております。2012年2月7日の取材時には判明しており
日本HPは4月27日、NVDIMM（不発揮性メモリ）をx86サーバー「HPE ProLiant Generation 9」でサポートすると発表した。また、最新のプロセッサを採用し、ProLiant Gen9のポートフォリオも刷新する。 NVDIMMは、通常のDIMMスロットに挿入し、メインメモリ＋ディスク領域として扱える不揮発性メモリ。電源を落としてもデータが消えない不揮発性と、SSDと比べて2倍のデータベース（DB）書き込み速度を実現。DBや分析ワークロードを加速するよう設計されており、ストレージ性能がボトルネックとなるようなアプリに最適という。 業界標準である「NVDIMM-N」技術を基としている。これは1枚にDRAMと不発揮性メモリを両方搭載したもの。OSにストレージとして見せ、通常時はRead/Writeを高速に行う。電源OFF時にはDRAM上のデータを不発揮性メモリにバックアップ
不揮発性メモリ - Wikipedia
不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、英: Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（ふきはつせいきおくそうち、英: non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。 概説[編集] 不揮発性メモリは現在のところ、主に補助記憶装置（ストレージという語もあるが、この節ではメモリで統一する）として使われている。主記憶装置にはもっぱら揮発性メモリが使われている。主記憶がもし不揮発であれば、コンピュータの電源を断続する際に現在のような「シャットダウン → 再起動」というシーケンスが不要になり、ノートパソコンの「ハイバネーション」のような運用を、補助記憶への退避と復帰を行わずにできるなどという利点があるが、現在のところ主に
COOL Chips 23の基調講演でIntelが語ったOptaneメモリ 2020年4月15日から17日までの3日間、IEEEが主催するコンピュータの国際学会「COOL Chips 23」がオンラインを活用する形で開催された。その基調講演で、Intelは不揮発性のOptaneメモリについて講演した。 Optaneメモリはデータセンター向けが中心だが、最近は個人向けにも提供されるようになってきた、なかなか面白いメモリである。 Optaneメモリが誕生した背景 次の図はコンピュータのメモリとストレージの階層を示すものである。ここで、メモリはバイトアドレスでアクセスする記憶デバイスで、ストレージはバイトよりはずっと大きな、例えば数10KB単位のブロックでアクセスする記憶デバイスである。 コンピュータのメモリとして、アクセスが高速で、ビット単価の安いものがあれば理想的であるが、そうはいかない。一
Danny Palmer （Special to ZDNET.com） 翻訳校正： 編集部 2016-04-01 10:50 Hewlett Packard Enterprise（HPE）は米国時間3月31日、停電時にもデータを保持できる「不揮発性メモリ」を搭載した新たなプラットフォームを発表した。通常のメモリと同じ速度で動作しつつ、機器への電力供給が絶たれてもデータを保持し続けられる記憶装置を搭載したサーバを実現する。 HPEの欧州・中東・アフリカ（EMEA）地域のProLiantサーバ担当マネージャーRichard Slyfield氏によると、パフォーマンスや復元性という観点から見た場合、このテクノロジには、PCIe接続のSSDといった既に利用可能な類似の永続的なメモリと比べると「極めて大きな利点」があるという。 HPEの不揮発性メモリ「HPE 8GB NVDIMM」（Non-Vola
Everspin Technologies は 11 月 12 日、次世代不揮発性メモリの有力候補とされるスピン注入メモリ (STT-RAM) のサンプルを一部顧客に出荷中であると発表した (Impress PC Watch の記事、日本国内代理店の東京エレクトロンデバイスのプレスリリースより) 。 STT-RAM とは、磁気モーメントの方向の違いでデータを記憶する MRAM を、電子のスピンを利用して大容量化したもので、いわば第二世代の MRAM にあたる。MRAM 自体は既に実用化されているが、SRAM 互換のインターフェイスを採用していた従来の MRAM とは異なり、今回 Everspin 社が出荷した STT-RAM では、DDR3 SDRAM と互換のインターフェイスが採用されている。つまり、明確に DRAM の置き換えを狙ってきたと言える。 今回製品化された STT-RAM の
VMwareが「Project Capitola」発表。vSphereでDRAMや不揮発性メモリを階層化し低コスト大容量メモリ実現、メモリプールとして利用可能に。VMworld 2021
VMwareが「Project Capitola」発表。vSphereでDRAMや不揮発性メモリを階層化し低コスト大容量メモリ実現、メモリプールとして利用可能に。VMworld 2021 VMwareは同社主催の年次イベント「VMworld 2021」をオンラインで開催中です。 そのVMworld 2021で同社は、DRAMや不揮発性メモリ、NVMe経由のフラッシュメモリなどを仮想化ハイパーバイザで階層化、大容量メモリとして統合しつつ、仮想マシンからは通常のメモリと同様に扱えるようにする新技術「Project Capitola」を発表しました。 低コストで大容量メモリを仮想的に構築 インメモリデータベースに代表されるように、最近のアプリケーションは高速かつ高機能を実現するために大容量のメモリを要求するようになってきました。 この要求に従ってサーバの搭載メモリ容量をDRAMにより増やしていく
産総研、PCRAMとMRAMを統合した不揮発性メモリの実現に向けた技術を発表 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
産業技術総合研究所(産総研) ナノエレクトロニクス研究部門 富永淳二 上席研究員 兼 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター 連携研究体付らの研究グループは、ゲルマニウム-テルル合金とアンチモン-テルル合金の薄膜を、配向軸を揃えて積層した超格子型相変化膜が、室温から150℃程度の温度範囲で2000%を越える磁気抵抗効果を示すことを発見した。この巨大磁気抵抗効果はトポロジカル誘電性と呼ばれる物理現象に起因するもので、この相変化膜は、可視光領域の円偏光に対する反射率が磁場の方向に応答して変化する磁気光学効果を持つことも発見した。これらの成果の詳細は、「Applied Physics Letters(99巻15号)」に掲載される。 次世代の不揮発性メモリとして、化合物の結晶と非晶(アモルファス)状態との電気抵抗値の差を利用した相変化メモリ(PCRAM)や、磁性合金の磁気による電気抵抗
マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究者が、不揮発性メモリに応用可能な新素材を開発した。ストロンチウムとコバルトの酸化物（SrCoOx）で構成された薄膜に微弱な電圧を印加すると、結晶を金属状態と半導体状態のあいだで変化させられるそうだ。各状態は電圧がかからなくなっても維持されるので、1ビットの情報を不揮発に記録できる。 この素材を開発したのは、MITで材料科学を研究している助教授のBilge Yildiz氏と大学院生Qiyang Lu氏。Yildiz氏によると、組成や温度、圧力で状態の変わる素材は以前から知られていたが、電気的なバイアスで状態遷移が起こると示せたのは両氏が初めてだそうだ。 金属状態と半導体状態の相違は、各セルにいくつの酸素原子が含まれるかによって生ずる。状態を変化させるのに必要な電圧は、30mVと高くない。 一度決まった状態は、再び電圧が印加されるまで維持される。また、2
進む不揮発性メモリの開発--SSDよりも大きな変化に？
Wintel同盟が戻ってきた。NAND型フラッシュメモリのSSDは、この10年でストレージ業界に革命を起こした。しかし、不揮発性メモリ（NVM）はSSDよりもはるかに大きな革命を起こすかもしれない。その背後にいるのはIntelとMicrosoftだ。 影響力の大きさ フラッシュメモリを用いたSSDは、磁気ディスクを用いたハードディスクよりも高速なストレージだが、I/Oスタックは同じだ。このため、デバイスにデータを書き込む際に生じる問題（遅延、エラー、複数のバッファ間の調整）はそのまま残っている。つまり、SSDは単なる高速なディスクにすぎないと言える。 しかしNVMは単に高速なだけではない。NVMには永続性があり、ストレージとしても使用できるメモリである、ストレージクラスメモリ（SCM）に利用できる。 純粋なSCMは、DRAMとストレージデバイスの違いをなくしてしまう。メモリとストレージを別
カンファレンス会期：2月9日～11日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 San Francisco Marriott Hotel 半導体回路技術に関する世界最大の国際学会ISSCCが11日、無事に閉幕した。本レポートでは、次世代不揮発性メモリに関する開発成果の講演概要をお届けする。 ●1.6GB/sec、128Mbitの強誘電体メモリ 東芝は、1.6GB/secと極めて高速にデータを入出力でき、128Mbitと大きな記憶容量を備えた強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)を開発した(H. Shigaほか、講演番号27.5)。DDR2インタフェースを備えており、400MHzのクロックに対して入出力ピン当たり800Mbpsの速度でデータをやり取りする。入出力バスは×16bit構成なので、メモリ全体でのデータ転送速度は1.6GB/secとなる。 試作したメモリのダイサイズは8
【パソコンの話題】ＳＳＤより速い！！インテルDDR4スロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリ を発表。 | おなやみ通信
https://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/1124/844/1_l.jpg 米Intelは30日(現地時間)、DDR4メモリのスロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリを発表した。 PCI Expressではなくメモリスロットに装着するため、低レイテンシと高速性を実現。その一方で従来のDRAMとは異なり、電源を切ってもデータが保持できる。また、1モジュールあたり最大512GBの容量を実現する。 これにより、データセンターにおける新しいメモリ/ストレージ技術を提供できる。たとえば、Aerospik Hybrid Memory Architectureを採用したインメモリデータベースの実現だけでなく、数秒で再起動なども可能。 Optane DCは現在サンプル出荷中で、年内には限られたメーカーに出荷する予定。2019年には本格的に展開する。
現在多くのPCで使われているDRAMを使ったDIMMタイプのメモリモジュールは2020年台前半には主流ではなくなり、代わりにDRAMと不揮発性メモリを組み合わせたメモリモジュールが一般的になるのではないかという話がPC Watchで紹介されている。 DRAMと不揮発性メモリを組み合わせたメモリは「NVDIMM」と呼ばれ、電源供給が止まっても記憶していたデータが消滅しないのが特徴。これは、電源供給が停止した際にDRAM内のデータを不揮発性メモリにコピーすることで実現しているという。不揮発性メモリとしてNANDフラッシュメモリを使用したDDR4メモリと互換性がある「NVDIMM-N」というタイプのものについてはすでに標準化がされており、WindowsやLinuxでサポートが始まっているという。 さらに、今後は不揮発性メモリ部分についてもDRAMのように利用する「NVDIMM-P」と呼ばれるタイ
Intel、DDR4互換の不揮発性メモリ「Optane DC Persistent Memory」を正式発表（Impress Watch） - Yahoo!ニュース
Intel、DDR4互換の不揮発性メモリ「Optane DC Persistent Memory」を正式発表 Intelは4月2日(米国時間、日本時間4月3日)に報道発表を行ない、DRAMとフラッシュメモリの中間の特徴を持つOptane DC Persistent Memoryを発表し、同日に発表したデータセンター向けプロセッサ、“Cascade Lake-AP”こと「第2世代Xeon スケーラブル・プロセッサ(以下第2世代Xeon SP)」でサポートすることを明らかにした。 【この記事に関する別の画像を見る】 Optane DC Persistent Memoryは、Intelが「3D XPoint(スリーディークロスポイント)」の開発のコードネームで開発してきた高速なフラッシュメモリを、DRAMインターフェイスであるDDR4のデータ信号で利用できるようにしたメモリモジュールとなる。 ■
業界トップ※1の低消費電力を実現 業界初※2、新不揮発性メモリ ReRAM内蔵マイコンを開発 2012年5月より評価用スタータキット提供開始 【要旨】 パナソニック株式会社デバイス社は、業界で初となる新不揮発性メモリReRAM[1]内蔵マイコンを開発しました。北陸工場砺波地区の0.18μmラインに生産体制を構築し、業界トップ※1の低消費電力を実現、本マイコンのサンプルを用いた評価用スタータキットの提供を2012年5月より開始します。 【効果】 本マイコンを使用することにより、機器の低消費電力化に貢献します。特に待機時の低消費電力が強く求められる、スマートメータなどの環境インフラ機器やスマートフォンなどのモバイル機器において、バッテリの長時間駆動や小型化を実現できます。 【特長】 本マイコンは以下の特長を有しております。 1．業界初※2のReRAM内蔵マイコンを評価用スタータキットとして提供
カンファレンス会期:2月4日～6日(現地時間) 会場:米国カリフォルニア州サンフランシスコ Marriott Hotel 半導体回路技術に関する世界最大の国際会議、ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)が今年もサンフランシスコで始まった。ISSCCには例年、PCやサーバー、デジタル家電、携帯電話機などの将来を担う、最先端および次世代のプロセッサやメモリ、無線ICなどの半導体チップが数多く登場する。 今回も、例年と同様に半導体チップの最新の開発成果が披露される。今年は2月3日と7日(現地時間)がセミナーの開催日、2月4日～6日(同)がISSCCのメインイベントであるカンファレンスの開催日だ。前日レポートでは、カンファレンスで発表予定の注目講演を紹介しよう。 ●2月4日：次世代のSPARCプロセッサが登場 カンファレンスは例年と
次世代不揮発性メモリ「ReRAM」って何だ？｜デジ・ステーション｜J-Net21[中小企業ビジネス支援サイト]
日々進歩するIT技術は、ともすると取り残されてしまいそうな勢いで進化の速度を高めています。そこでキーマンズネット編集部がお届けするのが「5分でわかる最新キーワード解説」。このコーナーを読めば、最新IT事情がスラスラ読み解けるようになることうけあい。忙しいアナタもサラっと読めてタメになる、そんなコーナーを目指します。今回のテーマは、DRAMのような高速性をもちながら、フラッシュメモリと同様に通電しなくてもデータが記憶できる次世代メモリ「ReRAM」。このたびメモリセルアレイの試作と検証という難関を越え、実用化に大きく前進しました。今回は、SSDやシステムメモリのあり方を変革するかもしれないReRAMについて、いったいどんなものなのか、ほかの新世代メモリとの違いも含めて理解しましょう。 ※今回の記事はエルピーダメモリ株式会社に取材の上構成しております。2012年2月7日の取材時には判明しており
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次世代不揮発性メモリー（上）
不揮発性メモリーはメモリーカードやICレコーダーなど小型の記録媒体に多く使われている。電源を切っても保存したデータが消えないというのが特徴だ。不揮発性メモリーとして最も広く使われているのがフラッシュ・メモリーである。だが，フラッシュ・メモリーは書き込み動作が遅く，書き換え回数に制限があるという欠点を持つ。この欠点を解消するために，データを記憶する素子を工夫した三つの不揮発性メモリーが開発されている。記録素子に強誘電体を使うFeRAM（Ferroelectoric RAM），磁性体素子を使うMRAM（Magnetic RAM），相変化材料を使うOUM（Ovonic Unified Memory）である。 図1●次世代の不揮発性メモリー 現行の不揮発性メモリーの主流であるフラッシュ・メモリーの欠点を補う次世代の不揮発性メモリーは，大きく三つのものが研究開発されている。2003年5月現在，FeR
相変化型メモリ(phase change memory)の記憶素子を製造する工程。図中にGSTとあるのがカルコゲナイドのGeSbTe合金で、結晶状態とアモルファス状態を行き来する。GSTの上下は電流を加えるための電極。この写真はIEDM 2007の論文資料から抜粋した 会期：12月10～12日(現地時間) 会場：米国ワシントンD.C. Hilton Washington and Towers 半導体メモリでは1個のメモリセルに通常、2個の値を記憶する。論理レベルの高レベルあるいは低レベル、データ値の1あるいは0に相当する。言い換えると、1個のメモリセルに1bitのデータを記憶していることになる。 マルチレベルとは、1個のメモリセルに3個以上のレベルを記憶させることを意味する。例えば4個のレベルを記憶させれば、1個のメモリセルに2bitのデータを蓄えることになる。当然ながら1bitを記憶する
DRAMやSRAMのようにランダム・アクセスが可能で，さらに電源を切っても情報が消えない。このような特徴を持つ不揮発性メモリに対する需要は，今後ますます伸びると考えられる。iPod touchなどの新しい携帯型プレーヤが次々と登場したり，またSSD（Solid State Drive，Tech-On！用語）を搭載したノート・パソコンが各社から発売されたりするなど，情報機器に加えて産業機器や車載機器などに搭載する動きも広がっている。こうした需要を狙って，東芝と米SanDisk Corp.はNANDフラッシュ・メモリの新工場を竣工（Tech-On！関連記事1），また米Intel Corp.と伊仏合弁のSTMicroelectronics社はフラッシュ・メモリ事業を統合するなど，業界の動きも活発化している（Tech-On！関連記事2）。 そこで今回の「技術競争力の検証」では，不揮発性メモリに関し
ストレージサーバにCell RAMキャッシュと呼ばれるキャッシュがある。Cell RAMキャッシュはフラッシュキャッシュの前面に位置し、フラッシュキャッシュよりレイテンシは低く、容量は小さい。そのため、cell single block physical readが上位にくるOLTPのワークロードにおいて、あたかもバッファキャッシュの追加キャッシュがストレージサーバ上にあることにより、オンライン性能向上が期待できる。ストレージサーバソフトウェア18cからの機能であり、デフォルトでは無効化されている（ramCacheModeがautoに設定されている）。 ストレージサーバのRAMキャッシュがデフォルトで無効なのは、なにも新機能なので自信がない訳ではない。これを有効に使うためにはストレージサーバ側のメモリの増設が前提となる。マニュアルを見ると、AWRのBuffer Pool Advisoryか
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史：福田昭のストレージ通信（42） 抵抗変化メモリの開発動向（1）（1/2 ページ） 今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。 ストレージ・クラス・メモリを実現する次世代半導体メモリ技術 前回までは、半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際メモリワークショップ（IMW:International Memory Workshop）」のショートコース（2016年5月15日）から、Micron Technologyの講演概要をご報告した。今回以降は、SanDiskによる抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向に関する講演概要をご紹介する。講演者はスタッフエンジニアのYangyin CHEN氏、講演タイトルは「ReRA
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(1) | ネット | マイコミジャーナル
読み書き可能なメモリとして現状、最も標準的に利用されているのがSRAM、DRAM、フラッシュメモリである。以前掲載した「【レポート】メモリ技術解説( http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/09/05/09.html )」でも述べたように、SRAMは高集積化が困難なため大容量メモリとしては不向きであるが、その高速性を活かしてキャッシュメモリなどに用いられており、またそれとは逆にDRAMはリフレッシュ動作が必要なためアクセス速度は低速なものの、大容量という特性を活かしてパソコンのメインメモリなどに採用されている。またフラッシュメモリはハードディスクと同様に、不揮発性(電気的な記憶の保持が不要)という特性を活かし、比較的小容量のデータの保存に用いられている。 こういったメモリの棲み分けはパソコンだけが情報機器の主役の座に位置している時代であればよかったのだろうが、
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ（NRAM）」：福田昭のストレージ通信（153） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（14）（1/2 ページ） 次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ（NRAM：Nanotube RAM）について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。 PCM、MRAM、ReRAMの次を狙う不揮発性メモリ技術 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(2) | ネット | マイコミジャーナル
○FeRAM(Ferroelectric RAM) (図3)FeRAMのセル FeRAMはDRAMの延長線に存在するメモリアーキテクチャで、DRAMセルにおいて電荷を保持している誘電体キャパシタを強誘電体とすることで不揮発性を強化している。強誘電体材料としてはPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)などのペロブスカイト化合物や、SBZ(チタン酸バリウム・ストロンチウム)などの層状ペロブスカイト化合物が用いられている。 FeRAMのセルとしては現状、図3に示す3タイプのものがある。2T2C(2トランジスタ2キャパシタ)セルはすでに実用化されているもので、一方のキャパシタに例えば"1"というデータを記憶させた場合、もう一方のキャパシタには逆の"0"を記憶させ、読み出す場合にはBLと/BLの2つの電圧差をセンスアンプで判断し、例えば電圧差がプラスであれば"1"、マイナスであれば"0"といったように出力する
不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証 実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋 電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率を実現する道筋を明らかにした。 非常に薄い金属磁石層（記録層）をもつ磁気トンネル接合素子（MTJ素子）にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を開発して、エラー
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【IMW 2011レポート】 日本発の新型不揮発性メモリが相次いで登場
米Intelと米Micronが新不揮発性メモリー「3D XPoint」を発表、NANDより1000倍高速
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
HPE ProLiant、DIMMスロット搭載型の不揮発性メモリに対応
600℃に耐える高速な不揮発性メモリが開発される
Intelの不揮発性メモリ「Optane」を読み解く - COOL Chips 23
【福田昭のセミコン業界最前線】 富士通とソニー、IMW 2021で次世代不揮発性メモリの開発成果を披露
HPE、不揮発性メモリ搭載「ProLiant Gen9」サーバを発表--インテルの新チップも搭載
次世代不揮発性メモリ「スピン注入メモリ」(STT-RAM) 、出荷開始 | スラド ハードウェア
【イベントレポート】 【IRPS 2010レポート】 次世代不揮発性メモリの信頼性をチェック
MIT、不揮発性メモリに応用可能な新素材を開発--ストロンチウムとコバルトの酸化物
【イベントレポート】 【IRPS 2009レポート】 不揮発性メモリ編 ～次世代不揮発性メモリの信頼性を考える
【ISSCC 2009レポート】最高速度と最大容量を競う次世代不揮発性メモリ
【福田昭のセミコン業界最前線】 12月の国際学会IEDMに次世代不揮発性メモリの研究成果が集結
PCにおいて2020年代には不揮発性メモリとDRAMの混載が主流になる？ | スラド ハードウェア
業界初※2、新不揮発性メモリ ReRAM内蔵マイコンを開発 | プレスリリース
【福田昭のセミコン業界最前線】 方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発
ISSCC 2008前日レポート - 低消費プロセッサと低コスト不揮発性メモリ
【IEDM 2007レポート】次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
不揮発性メモリ編・急速に力をつけるSamsung Electronics
VLSI技術シンポジウム、次世代のトランジスタ技術と不揮発性メモリ技術を展望
【イベントレポート】 6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量不揮発性メモリ ～2019 VLSIシンポジウムレポート
Exadataと不揮発性メモリ: オラクルデータベースの技術メモ
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ（NRAM）」
【イベントレポート】 【VLSI 2009レポート】 500Gbit/チップを目指す次世代不揮発性メモリの超高密度化技術
産総研：電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価