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パソコンユーザーのためのDRAM入門 Part 1 パソコンにおけるDRAM、DRAMの構造 - Qiita
序 : プロセッサへの嫉妬 DRAMさん「最近みんなCPUやGPUにばかりうつつを抜かしやがって…。みんながやれRyz○nだの、FinFET ○nmだの盛り上がって、みんなが次世代プロセッサを楽しみにしている。新しいアーキテクチャやISAが出てきて話題も絶えない。」 DRAMさん「たしかによ…CPUはパソコンの花形だし、GPUの性能上げればゲームのグラフィックスがきれいになるよ。それに比べると俺は目立たない。」 DRAMさん「挙句の果てに、Memory wallだなんて言われて、CPUやGPUの足を引っ張る存在だと疎まれている。」 DRAMさん「だけど…だけど…俺がいなかったらパソコンは動かない…！それに、俺だって頑張ってる！お腹にviaを貫通させたりして、CPUやGPUの足を引っ張らないようにしている！」 DRAMさん「だから…だから…俺を…DRAMを…見てくれ…！！！」 対象読者 DR
NVIDIA RTX環境での「Stable Diffusion」はVRAMを使い果たすとDRAMも使えるが、逆にVRAMだけにもできる
NVIDIA RTX環境での「Stable Diffusion」はVRAMを使い果たすとDRAMも使えるが、逆にVRAMだけにもできる 米NVIDIAは10月31日、サポートページ内にあるナレッジベースに掲載する形で、「Stable Diffusion」に関する動作の仕様について情報を公開した。生成AIを手軽に楽しめる「Stable Diffusion」におけるTipsがまとまっている。 NVIDIA RTX環境での「Stable Diffusion」はVRAMを使い果たすとDRAMも使えるが、逆にVRAMだけにもできる Stable Diffusionは、利用にあたって大容量のGPUメモリ（VRAM）が必要になる。NVIDIAではおおよそ6GB以上必要であるとしているが、モデルやスクリプトによってはより大規模なGPUメモリが必要になることもある。これを受けてバージョン536.40以降のド
DRAMの生みの親，ロバート・デナード氏が逝去。ゲーム機やスマホ，電子機器に搭載されているメモリシステムのパイオニア
DRAMの生みの親，ロバート・デナード氏が逝去。ゲーム機やスマホ，電子機器に搭載されているメモリシステムのパイオニア ライター：奥谷海人 メモリ用集積回路として広く使われている半導体ダイナミックメモリ（DRAM：Dynamic Random Access Memory）の基本構造を発明し，コンピュータテクノロジーの発展に大きく寄与したロバート・デナード（Robert H. Dennard）氏が，2024年4月23日に91歳で逝去していたことを，地元紙Iohudオンライン版（リンク。英語）などが報じている。 画像: Wikipedia（リンク）より 1932年にテキサス州で生まれたデナード氏は，幼少の頃には電気も届いていない一部屋の小さな学校で教育を受け，音楽の才能により奨学金を得て南メソジスト大学に入学。そこで電気工学と出会い，カーネギー工科大学（現：カーネギーメロン大学）で博士号を取得し
Micron Technology headquarters in Biose, Idaho, U.S. Photographer: Jeremy Erickson/Bloomberg 米メモリーチップ大手のマイクロン・テクノロジーは、日本政府から2000億円の支援を受け、同社広島工場で次世代ＤＲＡＭの生産を目指す。事情に詳しい関係者が匿名を条件に明らかにした。米中の摩擦が強まる中、半導体サプライチェーン強靭化に向けた投資を加速させている岸田文雄政権に追い風となりそうだ。 今回の投資でマイクロンは広島工場にオランダのＡＳＭＬホールディングの極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置や東京エレクトロンの関連装置を導入し、ＤＲＡＭ量産体制を構築する。日本政府の支援額については、広島での主要７カ国首脳会議（Ｇ７サミット）に先立ちバイデン米大統領が岸田首相と18日に会談するのに合わせて公表される見通しだと関係者
DRAMの1つのアドレスに繰り返しアクセスを行うことで他のアドレスに保存されているデータを改ざんすることができるという脆弱(ぜいじゃく)性を利用した「Rowhammer」攻撃は、チップメーカーによる対策でかなり衰退しましたが、新たに、隣接する行を越えて攻撃が伝播する「Half-Double」と呼ばれる手法があることをGoogleの研究者が発表しました。 Google Online Security Blog: Introducing Half-Double: New hammering technique for DRAM Rowhammer bug https://security.googleblog.com/2021/05/introducing-half-double-new-hammering.html hammer-kit/20210525_half_double.pdf at
AMD Zenプロセッサ搭載デバイスのDRAMに干渉して不具合を引き起こす「ZenHammer」攻撃が発見される、「Rowhammer」攻撃の亜種か
DRAMのメモリセルに干渉し意図的に不具合を引き起こす「Rowhammer攻撃」が存在することは以前から知られており、DDR4メモリには対策として「TRR(Target Row Refresh)」という保護機能が導入されましたが、そのTRRさえも打ち破られる可能性が指摘されています。新たに、これまでRowhammer攻撃に対する脆弱(ぜいじゃく)性は低いと考えられてきたAMD ZenベースのCPUを搭載したデバイスで動作するメモリにも作用する亜種「ZenHammer」がセキュリティ研究者によって発見されました。 ZenHammer: Rowhammer Attacks on AMD Zen-based Platforms - zenhammer_sec24.pdf https://comsec.ethz.ch/wp-content/files/zenhammer_sec24.pdf Zen
DRAMの世界市場シェアの9割を占めるSamsung・SK Hynix・Micronの3社が「DRAMの価格操作を行っている」として、アメリカの法律事務所であるハーゲンス・バーマンが2021年5月3日付けで3社を提訴しました。原告集団は「DRAMを使う電子機器の価格が人為的に高騰しており、独占禁止法に違反している」と主張しています。 Lawsuit filed against Samsung, SK in US https://www.koreatimes.co.kr/www/tech/2021/05/133_308452.html Samsung, Micron, SK Hynix sued again over alleged DRAM price fixing | AppleInsider https://appleinsider.com/articles/21/05/09/memo
ULTRARAMが『最も革新的なフラッシュメモリ賞』を受賞。DRAMとSSDのいいとこ取りをした不揮発性のユニバーサルメモリ | ニッチなPCゲーマーの環境構築Z
2023年8月8日から10日に米カリフォルニア州サンタクララで開催されたFlash Memory Summit 2023において、ULTRARAMが『最も革新的なフラッシュメモリ賞』(Most Innovative Flash Memory Award)を受賞した。 ULTRARAMは、アンチモン化ガリウム(GaSb)、ヒ化インジウム(InAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)などの化合物半導体とトリプルバリア共鳴トンネリングを利用した不揮発性メモリだ。 SSDと同様に不揮発性でありながら、DRAM(システムメモリ)の読み書き速度に匹敵するという。さらに、データの保持期間は推定1,000年とされているほか、少なくとも1,000万回の書き込み耐性があるとされている。また、消費電力は、20nmのDRAMと比較して100倍、SSDと比較して1,000倍低いとされている。 ULTRARAMの
パソコンユーザーのためのDRAM入門 目次 Part 1 : パソコンにおけるDRAM、DRAMの構造 Part 2 : 制御、パッケージ Part 3 : GHzへの挑戦、PCB Part 4(準備中) : マルチチャンネル、規格、未来 Part 2 おさらい Part 2の肥大化を抑えるために、Part 2ではDRAMチップの制御方法の大枠と、DRAMダイのパッケージングについてのみ触れた。そろそろ肉眼スケールの話に移りたいと飽き飽きする頃だろう。 そして、ついにPart 3で私達人間が日常的に触れられる物理スケールの話に移っていく。いよいよDIMMのご登場だ。ついにcmオーダーの話に突入だ。だが、ここには悪魔が潜んでいる…いや、もはや神と言っていいだろう。そう、電磁気のお時間が始まります。どんなにデジタルな数字を扱おうとも、その根源には物理法則があることを叩きつけてくる、それが現実の
レポート Micron、NVIDIAのGeForce RTX 3080/3090に搭載されたGDDR6X DRAMを正式発表 Micron Technologyは現地時間の9月1日、GDDR6X DRAMを公式に発表した。これはNVIDIAのGeForce RTX 30シリーズの発表とタイミングをあわせたもので、NVIDIAがGeForce RTX 3080/3090がPAM4を利用したGDDR6Xを採用したことを説明の中で公開(Photo01)しており、それもあってMicronも公式にこれを発表した形になる。 Photo01:左は16GbpsのNRZ Signal、右は21GbpsのPAM-4 Signalとなる。確かにEye Widthは取れてるのだが、Eye Heightがこれで十分なのか気になるところ そのMicronであるが、9月3日にオンラインでこのGDDR6Xに関しての記者説
世界が「カーボンニュートラル」（炭素中立）の実現に向けて動き出した。自動車業界の動向に詳しいインテルの野辺継男氏（同社デジタルインフラストラクチャーダイレクター）は、「産業競争力」と「エネルギー安全保障」の2つの視点が重要と説く。 車両の生産から廃棄までのライフサイクルにわたる二酸化炭素（CO2）の排出量の削減に向けて、電気自動車（EV）へのシフトを進める欧州や中国とハイブリッド車（HEV）を重視する日本。野辺氏はインタビューの前編で、「市場ごとに別の技術を開発するという二重投資が必要になり、国際競争力の拡大への負荷になる」と指摘した。後編は、EV市場の将来動向やその中核部品であるリチウムイオン電池が抱えるエネルギー安全保障の問題などを議論する。 欧州のEVシフトはあくまで自動車メーカー側の都合で、消費者の意向を無視しているという指摘もあります。 EVの量産が始まったのは、日産自動車が「リ
VMwareが「Project Capitola」発表。vSphereでDRAMや不揮発性メモリを階層化し低コスト大容量メモリ実現、メモリプールとして利用可能に。VMworld 2021
VMwareが「Project Capitola」発表。vSphereでDRAMや不揮発性メモリを階層化し低コスト大容量メモリ実現、メモリプールとして利用可能に。VMworld 2021 VMwareは同社主催の年次イベント「VMworld 2021」をオンラインで開催中です。 そのVMworld 2021で同社は、DRAMや不揮発性メモリ、NVMe経由のフラッシュメモリなどを仮想化ハイパーバイザで階層化、大容量メモリとして統合しつつ、仮想マシンからは通常のメモリと同様に扱えるようにする新技術「Project Capitola」を発表しました。 低コストで大容量メモリを仮想的に構築 インメモリデータベースに代表されるように、最近のアプリケーションは高速かつ高機能を実現するために大容量のメモリを要求するようになってきました。 この要求に従ってサーバの搭載メモリ容量をDRAMにより増やしていく
パソコンユーザーのためのDRAM入門 目次 Part 1 : パソコンにおけるDRAM、DRAMの構造 Part 2(本記事) : 制御、パッケージ Part 3 : GHzへの挑戦、PCB Part 4(準備中) : マルチチャンネル、規格、未来 Part 2があまりに肥大化したため、Part 2とPart 3に分割した。そのせいで若干Part 2が寂しい感じになってしまったが許せ。 Part 1 おさらい まず、多くの人にPart 1を読んでいただいたことを感謝したい。Qiitaはソフトウェアの話題が多い中で、このようなゴリゴリのハードウェア、しかも半導体レベルの話題に興味を持っていただけたことは大変嬉しい。勢いで書いた拙い文章であるが、DRAMの話題を通して身近な半導体にさらに興味を持っていただけたらなと思う。(前半のバスの話が長すぎて、大事な後半読まれてない説が若干あるが(汗))と
DRAMメーカーが血眼で1nmにこだわる理由 「18nmのDRAM」には18nmがある！ | JBpress (ジェイビープレス)
「18nmのDRAM」には18nmがあるか？ 前回、「『7nmの半導体』に7nmの箇所はどこにもなかった 半導体のプロセスルールとは一体何か？」（2019年9月6日）という記事（https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/57517）を書いたところ、「そんなことになっていたのか！」と大きな反響があった（注：nm＝ナノメートル、10億分の1メートル）。 その上で多くの読者から、「インテルのプロセッサやTSMCが製造するSOC（System on Chip）などのロジック半導体のプロセスルールが“商品名”のようなものだということは分かった。では、1X（18nm）とか、1Y（17nm）とか、1Z（16nm）などと言っているDRAMも、そのような寸法はどこにもないのか?」という質問を受けた。 そこで本稿では、「○○nm」と称するDRAMにその寸法があるかどうかを論じ
PCテクノロジートレンド 2022 - メモリ・DRAM編
2022年の幕開けに、パーソナルコンピュータのハードウェア技術の動向を占う「PCテクノロジートレンド」をお届けする。本稿はメモリ・DRAM編である。Alder Lakeのデビューにあわせて出荷が始まったものの品薄なDDR5の今後、GDDR6は見事に立ち上がったが次世代の性能向上で課題が山積するグラフィックスメモリ、そしてHBMの将来展望を紹介したい。 ◆関連記事リンク (2022年1月1日掲載) PCテクノロジートレンド 2022 - プロセス編 (2022年1月2日掲載) PCテクノロジートレンド 2022 - CPU編 (2022年1月3日掲載) PCテクノロジートレンド 2022 - GPU編 (本稿) PCテクノロジートレンド 2022 - メモリ・DRAM編 (2022年1月5日掲載) PCテクノロジートレンド 2022 - Flash Storage編 (2022年1月6日掲載
新型コロナウイルス感染症(COVID-19)のパンデミックや仮想通貨マイニングの需要増などの影響を受け、2020年以降は世界的な半導体不足が続きましたが、2022年後半には供給過剰へと転じました。そんな中で市場調査企業のTrendForceが、揮発性メモリ(RAM)の一種であるDRAMの価格が2022年度第3四半期と第4四半期の2期連続で記録的な下落幅を記録したと報告しました。 Research Reports | TrendForce - Market research, price trend of DRAM, NAND Flash, LEDs, TFT-LCD and green energy, PV https://www.trendforce.com/research/download/RP230220PV Samsung, Hynix Pain Deepens as Price
関連キーワード ハードディスク | ディスクストレージ | ストレージ Western DigitalはHDDにフラッシュメモリを組み込んだ「OptiNAND」という技術を発表した。「同社がHDDとフラッシュストレージの両分野で取り組んできたマイルストーンだ」。調査会社IDCでリサーチ担当バイスプレジデントを務めるエリック・バーゲナー氏はそう言う。 OptiNANDの特徴として特筆すべき点の一つは、「書き込みキャッシュ」の有効モードと無効モードの間の違いをなくすことだ。この特性を含めてOptiNANDを採用するHDDにはどのようなメリットとデメリットがあるのか。他のHDDやDRAM（Dynamic Random Access Memory）と比較して紹介する。 併せて読みたいお薦め記事 HDD分野の今後の見通し 「20TBのHDD」の量産は遅れる？ 「ニアラインHDD」拡大の訳は？ HDD
SK hynixは2020年2月1日（韓国時間）、韓国・京畿道の利川（イチョン）市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α（アルファ）nm世代（10nmプロセス）を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 SK hynixは2020年2月1日（韓国時間）、韓国・京畿道の利川（イチョン）市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α（アルファ）nm世代（10nmプロセス）を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 同社によると、M16はEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置を導入した同社初の工場になるという。それにより、同社は10nm以降のノードに向けて前進する可能性を手にする。M16の床面積
PCIe 4.0対応で最大4TBのDRAMレスSSD「WD Blue SN5000 NVMe SSD」の転送速度を詳しく検証してみた
Western DigitalのPCIe 4.0対応M.2 SSD「WD Blue SN5000 NVMe SSD」が2024年7月に登場しました。WD Blue SN5000 NVMe SSDは同容量のPCIe 4.0対応SSDの中では比較的安価ながら最大読み込み速度5500MB/sの転送速度を備えているとのこと。そんなWD Blue SN5000 NVMe SSDの4TB版に触る機会を得られたので、転送速度や細かい仕様をチェックしてみました。 WD Blue SN5000 NVMe SSD https://www.westerndigital.com/ja-jp/products/internal-drives/wd-blue-sn5000-nvme-ssd ・目次 ◆1：WD Blue SN5000 NVMe SSDの見た目をチェック ◆2：PCに組み込んでベンチマーク ◆3：HMB
DRAMやVRAMと同等の速度でデータを長期保存可能なユニバーサルメモリ実現に向けてゲルマニウム＆アンチモン＆テルルの化合物「GST467」が役立つことが明らかに
高速な揮発性メモリとデータを長期間保存可能な不揮発性メモリの長所を両立した「ユニバーサルメモリ」の実現に向けて、「GST467」と呼ばれる素材が役立つ可能性がスタンフォード大学の研究チームによって突き止められました。 Novel nanocomposite-superlattices for low energy and high stability nanoscale phase-change memory | Nature Communications https://www.nature.com/articles/s41467-023-42792-4 New candidate for universal memory is fast, low-power, stable, and long-lasting https://news.stanford.edu/press-releas
関連キーワード DRAM | Intel（インテル） | レンタルサーバ オンラインゲーム向けのレンタルサーバを提供するGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を採用した。同社のCEO、ロベルト・オメツォーリ氏はOptaneの採用を「迷わず決断した」と振り返る。 併せて読みたいお薦め記事 メモリの種類を紹介 「ストレージクラスメモリ」とは？ 重要技術の「ReRAM」から理解する いまさら聞けない「フラッシュメモリ」と「DRAM／SRAM」の違いは？ Intelの「Optane」新世代メモリはNANDフラッシュメモリよりどれだけ優秀か？ GPORTALは「Minecraft」「Ark：Survival Evolved」「Conan Exiles」をはじめとしたオンラインゲーム用のサーバを貸し出しており、約6800台のサーバを所有する。サーバは米国、カナダ、ブラジル、
SamsungのDRAM工場でクリーンルーム汚染、200mmウェハ数百万ドルが廃棄される | スラド ハードウェア
韓SamsungのDRAM工場でクリーンルーム内の汚染が発生、それによって200mmウェハの破棄が行われたとのこと（PC Perspective、TechPowerUp、tom's Hardware）。 これによるSamsungの損害は数百万ドルにも相当すると報じられている。Samsungは主要DRAMメーカーの1つであり、これによってDRAM価格が将来的に上昇する可能性も指摘されている。
1日を始める前に押さえておきたい世界のニュースを毎朝お届け。ブルームバーグのニュースレターへの登録はこちら。 米半導体のマイクロン・テクノロジーが、パソコンなどのデータの一時記憶に使うＤＲＡＭの新工場を広島県内に建設すると、日刊工業新聞電子版が20日、情報源を示さず報じた。 報道によると、マイクロンは広島工場（広島県東広島市）近くで土地を取得し、2024年までに稼働する計画。総投資額は最大で8000億円に上る見込みで、工場新設による雇用創出効果は協力会社を入れて2000－3000人規模と予想されるとしている。日本政府も補助金などで一部支援する可能性があるという。 マイクロンは日刊工業新聞の取材に対し、特定の製造施設の投資計画については公表していないと回答した。 同社は経営破綻した日本のＤＲＡＭメーカーのエルピーダメモリを13年に買収し、広島工場を取得した。敷地内には増設余地がなく、台湾やシ
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英ランカスター大、DRAM並の速度かつ100分の1の消費電力で動作する不揮発性メモリ「ULTRARAM」
SK Hynix、世界初のDDR5 DRAMを発売
【福田昭のセミコン業界最前線】 DRAMの進化は容量か、それとも速度か。基本から振り返る
SSDは高性能DRAMレスが人気！24TBに到達したHDDにも注目【PCパーツ100選 2024 ストレージ編】 DOS/V POWER REPORT 2024年冬号の記事を丸ごと掲載！
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【福田昭のセミコン業界最前線】 NANDフラッシュメモリに続いて大容量DRAMも将来は3次元積層へ
DRAM価格、当初予測より早く上昇に転じるおそれ
DRAMに保存されたデータを改ざんする「Rowhammer」攻撃の対象範囲がメモリ小型化で広がっているとの指摘
Samsung、業界初の12nm級DDR5 DRAM
DRAM価格、2020年第2四半期までに価格上昇の見込み
【福田昭のセミコン業界最前線】 2010年代後半以降のDRAMトレンド、微細化と記憶密度に関する偽説のカラクリを暴く
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【福田昭のセミコン業界最前線】 「松下」はかつてDRAM開発で世界の先頭集団を走っていた。「松下半導体」の60年を振り返る
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EV電池生産、欧州が本腰のワケ 日本にちらつくDRAMの苦い過去
パソコンユーザーのためのDRAM入門 Part 2 制御、パッケージ - Qiita
【福田昭のセミコン業界最前線】 MicronがDRAM開発の新たなロードマップを示す ～国際メモリワークショップ(IMW)2020レポート
DRAM価格が2四半期連続で記録的な下落、チップメーカー各社は生産削減を発表するもSamsungは投資を継続予定
Phison、世界初となるDRAMレスで低価格なPCIe 5.0対応SSDコントローラ
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【福田昭のセミコン業界最前線】 VLSIシンポジウムに速度を6割高めたHBM DRAMやレンズレスの超薄型カメラなどが登場
ゲームホスティング会社が「DRAM」ではなく「Optane」を迷わず採用した理由
米マイクロンが広島にＤＲＡＭの新工場、最大8000億円投資－報道
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