日本ガイシ(名古屋市)は、4階建ての研究開発棟(延べ約7200平方メートル)を本社内に新設する。半導体材料に関わる人材や設備を集約して開発期間を短縮し、新製品創出に弾みをつける。2023年5月に着工し、25年6月に完成する予定。投資額は100億円。 新棟では、無線通信や自動運転向け車載センサーに使われる半導体材料「ウエハー」の開発のほか、半導体製造装置用部材の製造技術の開発などに取り組む。 実験や分析を行うクリーンルームの空調を細かく制御したり、屋上に太陽光発電設備を設置したりして、二酸化炭素(CO2)の排出量を削減する。 吉野隆史執行役員は「開発者のコミュニケーションを活発にすることでイノベーションにもつなげたい」と述べた。 同社は30年に、今後開発する新製品の売り上げを1000億円規模にする目標を掲げる。 21年度から10年間で3000億円を投資し、開発人員も350人から500人ほどに