磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向

磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向：福田昭のストレージ通信（150） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（11）（1/2 ページ） 磁気抵抗メモリ（MRAM）の製造技術は22nm世代まで微細化 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。 前回は

[halfrack]

"当初期待されていたDRAMの置き換えは、現在ではほぼ不可能であることが明確になっている。"