東京大ら、高温で高配向有機半導体ナノ薄膜を製造

東京大学と物質・材料研究機構および、協和界面科学の共同研究グループは、200℃近い高温ウェットプロセスで、配向性の高い有機半導体ナノ薄膜を製造することに成功した。 200℃近くまで耐えられる高温LB装置も開発 東京大学大学院新領域創成科学研究科、同連携研究機構マテリアルイノベーション研究センター、同物性研究所、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点（WPI-MANA）および、協和界面科学の共同研究グループは2021年12月、200℃近い高温ウェットプロセスで、配向性の高い有機半導体ナノ薄膜を製造することに成功したと発表した。 高品質のナノ薄膜を製造する手法の1つとして、Langmuir-Blodgett（LB）法が広く利用されている。機能性分子を水面に展開することでナノメートル級の薄膜を形成し、それを基板に写し取り、固体状態の機能性薄膜を得る方法である。