神経系の動作をマネ、高速動作の電気二重層トランジスタ

物質・材料研究機構 （NIMS）と東京理科大学の研究チームは、セラミックス薄膜とダイヤモンドを用い、従来に比べ8.5倍も高速動作する電気二重層トランジスタを開発した。このトランジスタはニューロモルフィック動作を高速かつ高い精度で行えるという。 動作速度は27マイクロ秒、現行の最速品と比べ8.5倍に 物質・材料研究機構（NIMS）と東京理科大学の研究チームは2023年7月、セラミックス薄膜とダイヤモンドを用い、従来に比べ8.5倍も高速動作する電気二重層トランジスタを開発したと発表した。このトランジスタはニューロモルフィック動作を高速かつ高い精度で行えるため、医療や防災、製造などに向けたAI（人工知能）機能搭載端末機器などへの応用が期待される。 電気二重層トランジスタは、半導体と電解質との界面に存在する電気二重層の充放電で電気抵抗が変化し動作する。神経の電気応答を模倣できることから、AI素子へ