エントリーの編集
![loading...](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/common/loading@2x.gif)
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
![アプリのスクリーンショット](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/entry/app-screenshot.png)
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
Poly Si
さてさて、前回の続きでPoly Siをつけるところからである。この処理は、ゲート酸化が終わったらDirectで... さてさて、前回の続きでPoly Siをつけるところからである。この処理は、ゲート酸化が終わったらDirectでおこなう。前も述べたが、炉に入れるプロセスで、しかも別の炉に移し変える必要がある場合、その間に洗浄工程を入れないでそのまま移すのをダイレクト処理なんていったりする。 そんなわけで、Direct処理の臨場感を出すために前置きなしで始めてしまった。以下の図を見てもらおう。 この図のステップ2に移るところが、Direct処理になるわけだ。ゲート酸化が終わったら、温度が下がるのを待って、LPCVD炉に入れる。Nitride膜のときに説明したLPCVDのPoly Siバージョンだ。 だいたいゲート電極用のPoly Si膜は3000~5000オングストロームが一般的なんじゃないだろうか。最近はもっと薄い膜も使っているのかなあ?このPoly Si、多結晶Siの名のとおりSiの結晶がいっぱいつまっ