DDR4メモリが大幅続落、32GB×2枚組が12,980円など過去最安を続々更新 [相場調査 4月第5週号] ![DDR4メモリが大幅続落、32GB×2枚組が12,980円など過去最安を続々更新 [相場調査 4月第5週号]](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/bfd1aa6d311c343de3a877f477a6a17d91bc0212/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fakiba-pc.watch.impress.co.jp%2Fimg%2Fah%2Flist%2F1496%2F872%2F2023-0422-121557.jpg)
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
既存のメモリと次世代のメモリを比較する：福田昭のストレージ通信（134） 半導体メモリの勢力図（5）（1/2 ページ） 今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）といったエマージング・メモリ（次世代メモリ）の特徴を比較する。 既存の半導体メモリが抱える弱点 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」で半導体市場調査会社Objective AnalysisでアナリストをつとめるJim Handy氏が、「Flash Market Update、2018」のタイトルで講演した半導体メモリ市場に関する分析を、シリーズでご紹介している。 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるの
TechCrunch
The product needs to be great, but without sales, the business doesn't generate those nosebleed valuations. Apple has fixed a years-old vulnerability in its iPhone and iPad software that undermined a privacy feature since it first debuted. Back in 2020, Apple announced a new feature in iOS 14 that would pre
解析もガラリと変わる、DDR5規格の動向 | 日経 xTECH（クロステック）
本記事は、エレクトロニクス実装学会発行の機関紙「エレクトロニクス実装学会誌」Vol.21 No.5 pp.397-401に掲載された「最新DDRメモリシステムのPI/SI 解析の現状と問題」の抜粋です。全文を閲覧するにはエレクトロニクス実装学会の会員登録が必要です。会員登録、当該記事の閲覧は、エレクトロニクス実装学会のホームページからお進みください。 1. はじめに 現在、基板の伝送線路解析には、デファクトスタンダードとして広く普及しているIBISモデルが使われている。特にDDRメモリシステムの解析には、DDR、DDR2、DDR3と長期にわたりIBISモデルを使った解析がなされ、その精度と実績によりサインオフシミュレーション†として、広く認められている。 しかし、DDR4以降のメモリ規格では、IBISモデルでは対応できない機能が実装されており、DDR3までのメモリシステム解析手法では対応で
東芝、省電力・高性能なFPGAを実現する不揮発メモリ混載技術を開発
東芝は、フラッシュメモリとCMOSトランジスタを同一チップ内に近接して混載する技術を開発したと発表した。同技術をFPGAに応用することで、低消費電力かつ高性能な不揮発FPGAが実現する。 詳細は、ハワイにて開催された「2014 VLSI Technology シンポジウム」で6月10日(現地時間)に発表された。 近年、カスタムLSIの開発コストが増大しており、チップ製造後に回路情報を任意に書き換えることができるFPGA市場が拡大している。FPGAは主に演算を行うロジック素子と、回路情報の記憶を行うメモリで構成されている。高性能FPGAはロジック素子に揮発性のメモリであるSRAMを用いているため、消費電力が大きいという課題があった。これを解決するため、不揮発性のフラッシュメモリを用いたFPGAが望まれていた。しかし、フラッシュメモリとロジック素子に内蔵されるCMOSトランジスタは、素子構造と
カーボンナノチューブを使った「NRAM」の基本動作を実証
中央大学の竹内健教授らのグループは2014年6月12日、米国のNanteroと共同でカーボンナノチューブを用いた半導体メモリ「NRAM」に最適な書き込み方法を開発し、140nmサイズの単体素子によって基本動作を実証したと発表した。 中央大学の竹内健教授らのグループは2014年6月12日、米国のNanteroと共同でカーボンナノチューブを用いた半導体メモリ「NRAM」に最適な書き込み方法を考案するとともに、140nmサイズのNRAM素子に適用して基本動作を実証したと発表した。中央大学では、「高速、低電力、大容量、高信頼な基本的な動作を世界で初めて実証した」としている。 抵抗の変化を応用、将来10nmへ NRAMは、Nanteroが考案した半導体メモリで、電圧印加や微小な電流を流すことでカーボンナノチューブが接触（低抵抗化）、分離（高抵抗化）し抵抗値が変化する現象を利用してデータを記憶する。
Apple、エルピーダに新iPhone向けDRAMを大量発注か
米Appleがエルピーダメモリに対しモバイルDRAMを大量発注したと、台湾DIGITIMESが業界関係者の話として伝えた。 同サイトによると、Appleはエルピーダ広島工場のモバイルDRAM生産能力の半分に当たる量を新iPad／iPhone用に発注したという。会社更生手続き中のエルピーダは米Micron Technologyが支援に乗り出す予定で、エルピーダとAppleの取り引きでMicronの存在感も増すことになるだろうという。 Apple向けモバイルDRAMは韓国Samsung ElectronicsとSK Hynixが供給しているが、報道を受けて韓国株式市場で両社の株価は急落している。 関連記事 7インチのiPadが8月に、次期iPhoneが9月に登場か？――DIGITIMES報道 台湾DIGITIMESが、Pegatronが次世代iPhoneの製造を受注し、Foxconnが7インチ
Microsoft社が次世代DRAMのコンソーシアムに加入した理由
先週、ソフトウエア業界の巨人である米Microsoft社が一風変わったコンソーシアムに加入することが発表されました（Tech-On!関連記事1）。TSV（Si貫通ビア）を利用した3次元積層型の次世代DRAM「Hybrid Memory Cube」（以下、HMC）の普及を推進するHybrid Memory Cube Consortium（HMCC）に加わるとの発表です。 HMCは3次元構造を採用し、ロジック・チップの上に複数個のDRAMチップを垂直方向に積み上げ、それらの配線をTSVで接続する技術です。HMCの最大の特徴は、既存のDRAMに比べて桁違いに性能を向上できる点です。その理由は二つあります。一つは、メイン・ボード上などで半導体パッケージを平置きする従来の手法では「cm」単位だったチップ間の配線距離を、数十μｍ～1mmへと大幅に短縮できることです。もう一つは、チップ当たり1000～数
BuffaloのPC用メモリを定価より80%以上安く買う方法 – mycuration
ノートPCのメモリを増設するために4GBのものを探していたらすごいお得なポイントを発見しました。 他のメーカーで同じ事ができるかは調査中ですが、ひとまずBuffalo製メモリに関して確実に意識した方が安く調達できるのがわかったので発信します。 なかなかPC用のメモリを増設する機会は頻繁に起こるものではないと思いますが、これは絶対知っておいたほうが良い事だと思います。 Web限定モデルを探す 通常、自分のPCにメモリを増設しようとした時にまず意識するのは、「きちんと対応した設計のメモリを探す事」ですよね。 Buffaloであれば対応メモリー検索のページから自分のPCの型番を入力して、対応するメモリを調べる。 そして、対応するメモリ一覧から希望の容量のものの型番を選んでAmazonで検索。 絶対間違えないようにコピー＆ペーストで入力し、検索結果もよーく見て、間違えた型番のものを選ばないようにす
ラムバス（Rambus）事件米国高裁判決の疑問 - 弁護士植村幸也公式ブログ： みんなの独禁法。
知的財産権にかかわる標準化と独禁法の関係について判断した有名なアメリカの判決に、ラムバス事件判決（２００８年）というのがあります。 Rambus Inc. v. FTC, 522 F. 3d 456 (D.C. Cir. 2008) どういう事件かと言うと、ラムバス社が、ＪＥＤＥＣという標準化団体に参加しながら、当時ＪＥＤＥＣで議論されていたＤＲＡＭに関する標準に含まれる技術に関して自社が特許権を持っていた（あるいは出願中であった）のを隠して、まんまと自社の特許技術を標準に採用させ、その後高額なライセンスを請求した、というものです。 いわゆる特許の待ち伏せ（patent ambush）というものです。 これに対して米国ＦＴＣが、ＦＴＣ法５条違反（独占化）で訴追しました。 ワシントンＤＣの控訴審は、ラムバス社の行為によって同社の技術が標準に採用されたとの立証がなされていない、という理由で、ラ
第11回 メモリ管理機能が強化されたHyper-VのDynamic Memory
「Windows Server 2008 R2の真価」は、Windows Server 2008の後継OSである、Windows Server 2008 R2の注目機能について解説するコーナーです。 今回は、Windows Server 2008 R2 Service Pack 1（SP1）のHyper-Vにおける重要な拡張機能の1つ、「Dynamic Memory」について解説する。Windows Server 2008 R2 SP1の概要や入手先、インストール方法などについては、以下の記事を参照していただきたい。 ［運用］Windows 7／Windows Server 2008 R2 SP1がリリース（Windows Server Insider） Dynamic Memoryとは Windows Server 2008 R2向けのSP1では、Hyper-Vに関して2つの大きな機能拡
ページが見つかりません | 日本HP
ページが見つかりません。 目的のページは、移動または削除によって無効になっている可能性があります。申し訳ありませんが、検索またはリンク先よりお探しください。
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
Heterogeneous Memory Management Linux Plumbers Conference 2018
SK Hynix、世界初の16GB DDR4不揮発性DIMM ～DRAMの性能とNANDの不揮発性を両立
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 メモリ技術の革新がコンピュータアーキテクチャの変革も導く ～IntelのRattner CTOが見る未来
RHEL6のマルチキューで効率的なネットワークの付加分散
Dell 公式サイト (Dell Japan) | Dell 日本
Microsoft社が次世代DRAM「Hybrid Memory Cube」の普及団体に加入
ReRAMは三星も開発している。「もの」だけではいずれ価格競争に。世界で勝つには、「もの」に加えて、まねしにくいシステムやソフトの仕掛けも必要。 - 竹内研究室の日記
【イベントレポート】 【Hot Chips 23レポート】 激変するメニーコア時代のDRAMアーキテクチャ