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なぜTSMCだけEUVプロセスで高い歩留まりを達成できるのか？
TSMCは、EUVリソグラフィ(EUVL)工程で使用されるEUVマスク上に付着したパーティクル(異物微粒子)の除去に、従来の薬液や純水を大量に使うウエット洗浄プロセスから、より環境にやさしい「ドライクリーン技術(Dry-Clean Technique)」をすべての量産ラインに導入することで、EUVLプロセスにおける製造歩留まりの向上を図っていることを明らかにした。 ドライクリーン技術は薬液や純水のかわりに物理力でパーティクルを除去してウェハ表面を清浄化する「ドライクリーニング技術」とも異なり、付着したパーティクルを1粒ずつ組成分析して同定し、発生源を特定してその発生源を排除することにより、マスク上にパーティクルが付着せぬようにする手法である。なお、Dry-Clean Techniqueは、TSMCの独自の呼び方である。 クリーンルーム内でのマスク表面画像観察 (出所:TSMC Webサイト
世界では、米Intel（インテル）や韓国Samsung Electronics（サムスン電子）、台湾積体電路製造（TSMC）といった大手半導体メーカーがEUV露光装置を導入して先端半導体デバイスを量産している。一方、3社 のような先端半導体デバイスの製造拠点を持たない日本では、これまで同装置による本格的な量産はなかった＊2。 ＊2 ASMLによると、過去に日本国内で同社のEUV露光装置を運用した実績はある。 ところが近年、風向きが変わり始めた。国内企業の支援を受けて設立された半導体企業Rapidus（ラピダス、東京・千代田） は、北海道の半導体工場にEUV露光装置を導入すると表明した。米Micron Technology（マイクロン・テクノロジー） も広島工場に、同装置を導入する見込みだ。 いよいよ国内にも本格的に導入されるEUV露光装置だが、技術的な特長はどこにあるのか。エーエスエムエル
今回は毛色を変えて、EUV（Extreme UltraViolet：極端紫外線）を説明しよう。昨今EUVをどこまでモノにできるか、というのがファウンダリー各社の焦点になっているのはご存じのとおりで、IBMと提携して2nmプロセスでの製造に突き進む日本のRapidusも、なるべく急いでEUVプロセスを習熟する必要がある。 この話そのものは別にいまさらという内容ではあるのだが、3nmから先になるとそのEUVでもダブル・パターニングが必須になるといった状況に加え、ここにApplied MaterialsがSculptaと呼ばれる新しいシステムを発表したことで、いろいろと憶測が飛んでいる状況にある。 EUVの話はだいぶ昔（2014年）にしたが、これはまだEUVの量産が始まる以前の説明であり、もう量産機が大量に稼働している現在とはまた状況が違う。そんなわけで、今回はEUVによる露光プロセスを説明した
ASMLの新型EUV装置、ムーアの法則を今後10年延長可能に：「2nmをはるかに超えるプロセス」可能に（1/2 ページ） ASMLが、新しいEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の開発計画を発表した。EUVリソグラフィツールは今や、世界最先端の半導体市場において非常に重要な存在となっている。その分野で唯一のサプライヤーであるASMLの経営幹部によると、今回の新型装置の開発により、ムーアの法則はこの先少なくとも10年間は延長される見込みだという。 ASMLが、新しいEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の開発計画を発表した。EUVリソグラフィツールは今や、世界最先端の半導体市場において非常に重要な存在となっている。その分野で唯一のサプライヤーであるASMLの経営幹部によると、今回の新型装置の開発により、ムーアの法則はこの先少なくとも10年間は延長される見込みだという。 2023年前半には提供予定
半導体分野に関心を持つ方が増えたためなのか、「EUV関係」がニュースになることが多くなっている印象がある（EUVの詳細については後述）。筆者が、ちょっと検索しただけでも、ここ1カ月ほどだけでも以下のようなニュースがあった（順不同）。 一部には「EUV」と聞くと「買い」みたいな雰囲気もある。そこまで短絡的でなくても「EUV」と聞くとお金の匂いを感じ取る向きが多いようだ。 なぜEUVに「お金の匂い」を感じるのか？ 「EUV」、日本語で言えば「極端紫外線」、英語でつづれば「Extreme Ultraviolet」なので「EUV」となる。波長13.5nmという紫外線、これより短くなるとX線（レントゲン線）カテゴリーに入ってくる。紫外線としては最も短い波長の電磁波である。こんなものにお金の匂いを感じる人が多いのは、ズバリ最先端の半導体製造において超微細なパターンを半導体上に形成する上でなくてはならな
IntelとASMLは1月19日(現地時間)、IntelがASMLの現行の開口率NA=0.33のEUV露光装置の次世代機となるNA=0.55の高NA EUV露光装置の量産対応機「TWINSCAN EXE:5200」の購入に向けた最初の発注を行ったことを明らかにした。 ASMLは2021年の投資家向けイベントにおいて、EUVのロードマップを披露し、2025年には高NA EUV露光装置を量産現場で活用できるようにすると述べていたが、今回のIntelとの発表はこのロードマップに一致したものとされる。 ASMLプレジデント兼 CTOのMartin van den Brink氏は、「IntelのビジョンとASMLの高NA EUVテクノロジーへの早期の取り組みは、両社がムーアの法則を絶え間なく追求している証拠である。現在のEUV露光装置と比較して、開発中の高NA EUV露光装置は、複雑さ、コスト、サイ
微細化追求 見極め重要 半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ＡＳＭＬが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のＥＵＶ関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。長期的には、どこまでＥＵＶの導入拡大が続くのか不透明な面もある。（張谷京子） ＥＵＶ対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、７―９月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比２・６倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。 特に需要が高まっているのが、光源にＥＵＶを使ったＥＵＶ露光用フォトマスク（半導体回路の原版）の欠陥検査装置で、同社が１００％のシェアを持つ。従来ＥＵＶ露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線（ＤＵＶ）光を用い
沖縄科学技術大学院大学（OIST）の新竹積教授は、小型EUV（極端紫外線）光源で動作する「EUVリソグラフィー先端半導体製造技術」を開発した。この技術を用いると、消費電力を従来の10分の1以下にでき、装置コストも削減可能だという。 7nmノード以降の先端半導体製造に向け装置の国産化も視野に 沖縄科学技術大学院大学（OIST）の新竹積教授は2024年7月、小型EUV（極端紫外線）光源で動作する「EUVリソグラフィー先端半導体製造技術」を開発したと発表した。この技術を用いると、消費電力を従来の10分の1以下にでき、装置コストも削減可能だという。 AI（人工知能）サーバ用GPUやモバイル機器に向けた高機能LSI、大容量DRAMといった最先端半導体の製造工程には、EUVリソグラフィー装置が導入されている。しかし、「装置の電力消費が大きい」「価格が高い」といった課題もある。その大きな理由として、優れ
連載673回でも触れたが、インテルはようやく初のEUV（極端紫外線）露光を採用したIntel 4プロセスの詳細を、6月に開催されたVLSIシンポジウムで発表した。 まだ開催されてから時間が経っていないこともあって、IEEEのサイトには論文が掲載されていないが、今月中には公開されると思われる。今回は論文の方ではなく、実際に講演した際の資料をベースに、これを説明していく。 22年間で10ノードを開発した インテルプロセスの歴史 まず簡単におさらい。下の画像がここ20年ほどのインテルのプロセス一覧である。2000年から2022年の22年間で10ノードなので、ノードあたり2.2年ほどという見方もできるが、10nm/10nm SuperFin/Intel 7が事実上同じノードと考えると実質8ノード、ノードあたり3年弱となる。22nmまでは2年おきに刷新されていたわけで、14nm以降が11年かけて4ノ
中国が粒子加速器を活用した巨大な半導体工場の建設を計画していると、香港の英字新聞「South China Morning Post」が報じている。 それによると、中国の科学者らは、米国が音頭を取る対中半導体規制に対抗するため、EUVリソグラフィの光源となる巨大な粒子加速器を半導体工場内に設置することを検討しているという。具体的には、中国トップクラスの大学である清華大学の研究チームが河北省の雄安新区地方政府と粒子加速器による巨大半導体チップ工場建設用地の選定に向け活発な話し合いを進めているとのことで、1台の巨大な粒子加速器の周囲に複数のEUV露光装置を配置した工場を建設することにより、先端半導体チップの国産化、ならびに大量生産を実現しようという取り組みのようである。 研究チームが進めているのは定常状態マイクロバンチング(SSMB=Steady-state microbunching)と呼ばれ
詳しい銘柄紹介は下記をご覧ください。 半導体検査・測定装置メーカー。半導体検査装置（マスクブブランクス欠陥検査装置、ウェハ関連欠陥検査装置）、FPD関連装置、レーザー顕微鏡、エネルギー・環境関連装置の設計・製造・販売。主要製品は半導体製造プロセス前工程のマスク欠陥検査装置・マスクブランクス欠陥検査装置・FPD用マスク欠陥検査装置（半導体の設計図をウェハーに転写する露光過程で使用されるマスクブランクス欠陥検査装置は世界シェア100%）。リソグラフィプロセス検査装置・ウェハ関連欠陥検査に注力。世界で初めてEUV光を用いた「EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置」を開発。主要取引先はTaiwan Semiconductor Manufacturing、Samsung Electronics Company 、信越化学工業。 マネックス証券の銘柄スカウターより引用株価・各種指標 2020/2
1997年から本格的な開発が始まった最先端EUV（極端紫外線）露光装置（以下、EUV）は、20年以上の歳月を経て2018年第3四半期頃に離陸し、2019年にTSMCが孔系にEUVを適用した7nm＋プロセス（以下、プロセスは省略）による量産に漕ぎつけ、ことし2020年には配線にもEUVを使う5nmによる大量生産が実現している。 筆者が2007年に初めて参加したリソグラフィの国際学会SPIEでは、EUVの開発があまりにも難しいため、図1のようなスライドを使ってその困難さを説明した発表があった。 図1：2007年2月、リソグラフィの国際学会SPIEにて 出典：EUVの画像はAnthony Yen, ASML, “EUV Lithography and Its Application to Logic and Memory Devices”, VLSI 2020, SC1.5より引用（クリックで拡
7nm以降のロジックデバイスの製造に必須となっているEUVリソグラフィ装置は、ASMLが独占的に販売しているが、その生産能力には限界があり、7nm以降の微細プロセスでの事業拡大を図っているTSMCとSamsung Electronicsがこぞって調達競争を繰り広げている。そんな中、韓国の電子産業専門メディアetnewsが12月14日付けで、「EUVリソグラフィの周辺技術であるマスク向け電子ビーム(EB)マスク描画装置と、マスクの外観検査装置についても、TSMCとSamsungが争奪戦を繰り広げている」と報じている。 同紙は、「これらの装置の生産能力は、EUV露光装置よりも低く、仮にEUV露光装置を必要台数入手できたとしても、これらの周辺装置が確保できなければEUVを用いた半導体デバイスの製造に支障をきたす」としている。EUV向けマルチビーム方式のEBマスク描画装置はオーストリアIMS Na
Intel、EUV採用「Intel 4」プロセスの量産開始：「Intel 3以降も順調」とコメント Intelは2023年9月29日（アイルランド時間）、アイルランドの新工場を正式に開設し、同社として初めてEUV（極端紫外線）リソグラフィー技術を使用する最先端プロセス「Intel 4」での半導体の量産を開始したと発表した。
キヤノンの御手洗冨士夫会長兼社長兼最高経営責任者（ＣＥＯ）は10月に発売したナノインプリント技術を搭載した半導体露光装置の製品価格について、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置と比較してかなり低額に抑えられるとの見方を示した。 御手洗氏は都内の本社での先月のインタビューでナノインプリント装置の特長について、「ＥＵＶに比べて全然安い。１桁違う」と述べ、「存在価値が非常にある」とした。具体的な社名の言及はしなかったが、半導体メーカーでは「期待してくれているところがたくさんある」とも述べた。 半導体の微細化に欠かせないＥＵＶ装置の供給は、現時点ではオランダのＡＳＭＬホールディングが独占。ただ同装置は１台200億円程度と高額で、導入企業は限られている。ブルームバーグのデータによると、同社の顧客には台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）や韓国サムスン電子などが含まれる。 一方、ナノインプリント装置はウエハー上のレジス
サムスン電子本社（「Wikipedia」より） サムスン電子の副会長がASMLを電撃訪問 サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長は10月13日、オランダの半導体製造装置メーカーASMLを訪問し、同社CEOのPeter Wennink 氏およびCTOのMartin van den Brink氏らと会談したことを 「Business Korea」が報じた。ASMLは、最先端露光装置（EUV）を世界で唯一供給することができる製造装置メーカーであり、最近はEUVを何台導入できるかが、最先端の微細化競争の焦点となっている。 （拙著記：https://biz-journal.jp/2020/08/post_173690_2.html） 前掲Business Koreaには、「7nmまたは7nm以下のプロセス技術を使用して、最先端の半導体を製造するための鍵を握るEUV装置の供給計画について意見を交換
沖縄科学技術大学院大学(OIST)は7月29日、小型のEUV光源でも動作し、消費電力が従来の10分の1以下にまで減らせる、これまでの先端半導体製造の常識を覆す「EUV(極端紫外線)リソグラフィー」技術を提案したことを発表した。 同成果は、OIST 量子波光学顕微鏡ユニットの新竹積教授によるもの。査読前プレプリントが「arXiv」に掲載されている。 従来型(左)と、今回発表された新型EUVリソグラフィー(右)。従来型に比べて非常にシンプルな設計とすることで、高い安定性とメンテナンス性、高いコントラスト、マスク3D効果の減少などさまざまな利点が生まれた。また、わずか20Wの小型EUV光源で動作するため、消費電力がおよ1MWの従来技術に比べ、消費電力が100kW以下と10分の1となるという(c) 新竹積(OIST)(出所:OIST Webサイト) 現代社会を支える要素の1つである先端半導体は、極
原子層エッチングがEUVの確率変動を低減
次世代の半導体製造プロセスに必須ともいわれるEUV（極端紫外線）リソグラフィ技術。今回は、大手装置メーカーのLam Researchが、EUVリソグラフィにおいて重要な要素となる確率変動について解説する。 極端紫外線（EUV）リソグラフィが普及拡大へと進む中、EUVリソグラフィ装置を手掛けるオランダASMLは、これまでEUVリソグラフィの量産（HVM）への導入を妨げてきた電源や稼働時間などの課題に取り組み続けています。一方で、この導入の遅れは半導体業界にイノベーションを促し、マルチパターニングを活用した液浸技術を前進させました。Lam Research（ラムリサーチ）の装置は、これまでマルチパターニングを必要とする1億枚を超えるウエハーのうち95％の加工に使用されてきました。 マルチパターニングによって、193nm液浸（193i）技術は7nmノードにまで拡張され（図1）、プロセスに依存する
9月19日・20日にIntel Innovation 2023が開催され、初日の基調講演でPat Gelsinger CEOによりいろいろな情報が公開された。のっけから前回の情報の訂正からスタートしたい。 Sierra Forestはソケットあたり288コアだった 今年3月に開催されたDCAI Investor Webinarにおけるスライドでは、Sierra Forestは144コアという話であった。そしてHot Chipsにおける説明でも、1つのタイルに144コア(2ソケットで288コア)という説明がなされていた。 それもあって、前回の説明では、1つのコンピュート・チップレット+2つのI/O チップレットという構造が一番妥当に見える(そしてそのコンピュート・チップレットは8×5ブロックの可能性が高い)と説明をしたわけだが、いきなりこの前提がひっくり返された。 基調講演ではSierra
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか：当面はASMLの独走状態との予測も（1/2 ページ） キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。 アナリストが米国EE Timesに語ったところによると、キヤノンが発売したナノインプリントリソグラフィ（NIL）半導体製造装置は、ASMLが世界最先端の半導体製造に向けてほぼ独占的に提供しているEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置に肩を並べるようになるまでには、何年もかかる見込みだという。 キヤノンは2023年10月、回路パターンが刻み込まれたマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成するNIL技術を用いた半導体製造装置「FPA-
Intelが、「Intelの中で最も精密で複雑なマシン」と言われる「EUVシステム」に迫ったムービーを公開しています。EUVは、近年「限界を迎えつつある」と指摘されるムーアの法則を追求するための技術。Intelが何をしようとしていて、EUVシステムはどのようなマシンなのかが、ムービーで映し出されています。 EUV: The Most Precise, Complex Machine at Intel https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/euv-most-precise-complex-machine.html Behind this Door: Learn about EUV, Intel’s Most Precise, Complex Machine - YouTube 21年間、Intelの製品や製品を作り出す驚く
数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線（EUV）露光装置が必須――。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィ（NIL）装置を実用化したのだ（図1）。2023年10月13日から、同装置の販売を開始した。5nm世代に必要な最小線幅14nmの回路パターンを描画できる。ASMLの開口数0.33のEUV露光装置で実現できる最小線幅である13nmに迫る性能だ。「既に問い合わせが多数あり、特に研究開発や光学分野の用途からの関心が高い」（キヤノン光学機器事業本部副事業本部長 岩本和徳氏）という。
オランダASMLは2021年1月21日（現地時間）、2020年第4四半期および通期の業績を発表した。2020年第4四半期の売上高は43億ユーロ（約5400億円）で純利益は14億ユーロ（約1756億円）。2020年通期の売上高は、140億ユーロ（約1兆7560億円）で純利益は36億ユーロ（約4516億円）で、2019年に比べ増収増益となった。 オランダASMLは2021年1月21日（現地時間）、2020年第4四半期および通期の業績を発表した。2020年第4四半期の売上高は43億ユーロ（約5400億円）で純利益は14億ユーロ（約1756億円）。2020年通期の売上高は、140億ユーロ（約1兆7560億円）で純利益は36億ユーロ（約4516億円）。2019年に比べ増収増益となった。 ASMLのプレジデント兼CEOを務めるPeter Wennink氏は、プレスリリースで、「2020年第4四半期の売
SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注／5nmレースの行方：大原雄介のエレ・組み込みプレイバック（1/3 ページ） エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2020年5月の業界動向の振り返りとして、SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注した話題と、5nmプロセスの各社動向など昨今のプロセス周りの話をお届けする。 ロックダウンの影響もあり5月もいろいろイベントが延期になっている。そんな中でひときわ大きな動きはHuaweiに対する禁輸措置の強化（例えばこれとかこれなど）であるが、これは現在も進行中の話であって、まだ全貌が見通せていない。それもあって今月のお題としては見送りさせていただき、今回は昨今のプロセス周りの話をしたい。 SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注 NVIDIAは2020年5月14日にGTC 2020の基調講演をオンラ
Inside the machine that saved Moore's Law 「ムーアの法則」救う 世界唯一のEUV装置企業 ASMLの苦難と挑戦 誰もが「ムーアの法則」の行き詰まりを感じていた中で、オランダの企業ASMLは90億ドルと17年をかけて、不可能と見られていた極紫外線によるリソグラフィー装置を完成させ、チップのさらなる高密度化への道を開いた。 by Clive Thompson2021.11.17 25 5 29 パトリック・ウィランは、身につけたクリーンスーツのフェイスプレート越しに事の成り行きを見ていた。 この記事はマガジン「世界を変えるイノベーター50人」に収録されています。 マガジンの紹介 目の前にあるのは輝くガラスのかたまりだ。大きさはオーブントースターほどで、軽量化のため所々がくりぬかれた外観はエイリアンのオブジェを思わせる。ウィランのチームはコーヒーテーブル
知る人ぞ知るサイエンス系ノンフィクションの名手、サイモン・ウィンチェスターの新作ということで、すぐ手にとった。 2004年に邦訳が出た『クラカトアの大噴火』は450ページを超える大部だったが、貪るように読んだ記憶がある。19世紀末スマトラ島近くのクラカトア火山が大爆発を起こし吹き飛んだ事件だ。巨大な津波が3万人を超える人々を飲み込んだ。衝撃波は地球を4周するほどの巨大さだった。結果的にこの大噴火はイスラム原理主義者の擡頭、植民地主義の崩壊、海底ケーブル網による世界同時報道、プレートテクトニクス論の確立、新たな芸術手法の誕生などの引き金となった。ウィンチェスターはサイエンスと歴史、テクノロジーと人間の関係を描く名手なのだ。 本書の原題は「精密工学はいかに現代社会を作り上げたか」だ。18世紀の産業革命以降、新たな良き機械を作り上げるため、たゆまぬ精密の向上が要求された。フォードやインテルなど、
Intelが2024年4月18日、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点で、業界初となる商用高開口数(NA)極端紫外線(EUV)リソグラフィの組み立てを完了したと発表しました。このEUVリソグラフィはオランダの半導体装置大手・ASML製であり、1.4nmプロセスに相当する「14A」プロセスノードの半導体製造に向けた重要な一歩と位置づけられています。 With High NA EUV, Intel Foundry Opens New Frontier in Chipmaking https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-foundry-opens-new-frontier-chipmaking.html Intel completes assembly of first commercial High-NA
半導体回路の微細化に欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」への期待感が高まっている。ＥＵＶ露光装置を手がける蘭ＡＳＭＬが、露光工程の歩留まり低下を防止する「ペリクル（防塵カバー）」を量産用途のＥＵＶ向けで初めて開発した。これを受け、半導体メーカーがＥＵＶ露光の適用レイヤー（層）数を増やし、露光装置の導入を拡大する公算が大きい。ＥＵＶ露光の拡大は検査装置など周辺装置メーカーにとってもプラスで関連市場全体の成長につながりそうだ。（張谷京子） ペリクルはフォトマスク（半導体回路の原版）の表面に装着する薄い保護膜。傷やホコリを付きにくくし、フォトマスクの検査・交換頻度を抑制する。露光工程の生産性向上には欠かせない。これまでフッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸など旧来型の露光向けでは使用されているものの、より高い透過率が求められるＥＵＶ露光向けでは実用化に至っていなかった。 ペリクルは、光の透過率を上げると
最先端の微細化が求められる半導体製造には極端紫外放射技術を使うEUV露光装置(ステッパー)が必要。以下の画像を参考。 2000年くらいまでは露光装置シェアの大半をもっていた日本のニコンやキヤノンは、EUV露光機の開発をすでに諦め、現状ではオランダのASMLのみが生産している状況。 ASMLは独占のEUV露光装置だけで年間約8000億円(2021年度)の売上を出しており、今後はさらに需要が見込まれている中、ニコンやキヤノンもEUV露光装置分野に参入すればいいのでは？と思うところ。 しかし、結論から言えばASMLが確立したEUV露光装置分野で他社がビジネスをやっていくことは難しい。その理由をいろいろ。 最先端半導体チップの製造は難しい 2022年時点では、半導体の微細化プロセスの最先端は5nm(ナノメートル)。2007年ごろの「インテルCore2Duoプロセッサー」が45nmなので、15年前と
SEMIは2023年12月12日、2023年の世界半導体製造装置市場は、過去最高となった2022年の1074億米ドルから6.1％減少する見通しであることを発表した。ところが、そのような減少見通しをものともせず、売上高を飛躍的に拡大させている装置メーカーがある。露光装置分野で市場シェア90％超を独占しているオランダのASMLだ。 図1は、主な装置メーカーの売上高推移を示したグラフである。この図では、上位5社についてのみ、各社の決算報告書を基に2023年までの売上高を記載した。すると、ASMLが米Applied Materials（AMAT）を抜き去って、世界1位に躍り出たことが明らかになった。ここ4～5年のASMLの成長ぶりはすさまじく、売上高のグラフの傾きが垂直に近づいているように感じるほどだ。 あらためて図1を見てみると、5位以上と6位以下では、非常に大きな差があることが分かる。1位のA
2020年の夏以降、Samsung Electronicsの5nm EUVプロセスの製造歩留まりが低迷しているという話題がうわさレベルではあるものの韓国外のメディアを中心にたびたび報じられてきた。 一方、韓国内のメディアはこの件に触れるようなことはせず、むしろSamsungが米国の有力顧客から5nm EUVプロセスでの受託を次々と獲得しているといった報道をしてきた。 しかし、ここにきて韓国の経済メディアである毎日経済新聞(日本の毎日新聞とは無関係)が提携関係にある韓国の金融投資メディアINFOSTOCK DAILYのSamsung関係者への取材情報に基づき、「Samsungのファウンドリ事業部(いわゆるSamsung Foundry)で生産されている5nmプロセスの歩留まりが量産を開始する目標値に未だに達していないことを確認した」と報じた。 同紙によると、Samsungの内部事情に詳しい人
Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUVL）適用のD1z DRAMの両方を開発すると発表していた。 EUV適用「D1z」世代のDRAM Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUV
imecは5月下旬にベルギーにて開催した創業40周年記念イベント「ITF(imec Technology Forum)World 2024」において、開口数=0.75のHyper-NA(超高NA)EUVリソグラフィの採用を含む2039年に至るロジックデバイスのロードマップを公開した。また、併せてパートナーであるASMLの前社長兼CTOのMartin van den Brink氏が、開口数NA=0.75の超高NA EUV露光装置を開発中であることを明らかにした。 NA=0.75の超高NA EUVシステムは、Intelが他社に先駆けて2023年末に導入したNA=0.55の高NA EUV露光装置の後継に位置づけられるもの。imecのVan den hove CEOは、2039年に至る最新のロジックデバイスの微細化ロードマップについて、ナノシートが(imecの研究パートナーのTSMCなどで)202
露光装置メーカー最大手でEUVリソグラフィを唯一提供するASMLは、台湾・台南に「グローバルEUV技術トレーニングセンター」を開設したと8月20日に発表した。 同センターは、TSMCの最先端半導体工場が立地する台南サイエンスパークに設置され、EUV露光装置の実機を用いた半導体企業のエンジニア向けトレーニングが提供されるという。 ASMLの量産対応の最新型EUV露光装置「NXE:3400」 (出所:ASML Media Library) 具体的には、クリーンルーム内でのEUV露光装置の操作練習を含む年間数千時間クラスの包括的なトレーニングコースが提供されるという。開設時点で14人のトレーナーが在籍しており、ASMLでは、自社と顧客の双方ともにEUVエンジニアを毎年360名育成することを目指すとしている。 ASMLによると、初心者エンジニアがEUVの技術を学び、ある程度成熟したエンジニアになる
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ASML製の最新EUV露光装置がIntelに到着。開封の儀を公開
造れるのはASML1社のみ、難関だらけのEUV露光装置
引火性危険物で冷却しないといけない露光機 EUVによる露光プロセスの推移 (1/3)
ASMLの新型EUV装置、ムーアの法則を今後10年延長可能に
第291回 最先端半導体に必須のEUV露光装置から「お金の匂い」がする理由
Intelが超微細プロセスの量産に対応する高NA EUV露光装置をASMLに発注
Intel、業界初の商用高NA EUV装置。18A以降の先進プロセス製造開発へ
半導体のＥＵＶ露光で高まる日本メーカーの存在感、普及はどこまで進む？ ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
わずか4枚のミラーで構成 EUV露光技術を開発
インテル初のEUV露光を採用したIntel 4プロセスの詳細 インテル CPUロードマップ (1/3)
中国が粒子加速器をEUV光源として活用する計画を立ち上げか？ 香港メディア報道
【6920】レーザーテック EUVマスク検査装置で世界シェア1位(ネオモバ証券で端株投資)
TSMCとSamsungのEUV争奪戦の行方 ～“逆転劇”はあり得るか？
TSMCとSamsungが繰り広げるEUVのマスク描画装置と検査装置の調達競争
Intel、EUV採用「Intel 4」プロセスの量産開始
キヤノン御手洗氏、ナノインプリント装置はＥＵＶより「１桁」安い
大日本印刷、3nm相当のEUV露光向けフォトマスク製造プロセスを開発
Samsung、業界初となるEUV 7nm/5nmの3D積層技術
半導体微細化競争のカギ握るEUV、サムスン電子がTSMCに勝てそうもない理由
OIST、消費電力従来比1/10以下のEUVリソグラフィー半導体製造技術を提案
Intel 4は歩留まりを高めるためにEUVの工程を減らしている インテル CPUロードマップ (1/3)
SK hynix、1anmプロセス/EUV採用の8Gbit LPDDR4 DRAMを量産開始
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか
Intel史上最も驚異的なマシン「EUVシステム」の裏側を追ったムービーが公開中
「先端半導体にはEUV露光装置」に待った、キヤノンのナノインプリントの実力
EUV出荷は100台を突破、コロナ下でも増収増益のASML
SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注／5nmレースの行方
「ムーアの法則」救う 世界唯一のEUV装置企業 ASMLの苦難と挑戦
『精密への果てなき道:シリンダーからナノメートルEUVチップへ』「精密さ」の果てに到達した自然界の「不精密さ」の価値 - HONZ
Intelが14Aプロセスノードの実現に向けて業界初の商用「高NA EUVリソグラフィ」の組み立てを完了
ペリクルって一体なに？半導体回路の微細化に欠かせない「ＥＵＶ露光」技術 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
ニコンやキヤノンがEUV露光装置の開発を諦めた理由まとめ | ポジテン
驚異的な成長で装置メーカートップに躍り出たASML 背景にEUVと中国の「爆買い」
大日本印刷、2nm世代のEUV露光向けフォトマスク製造プロセス開発を本格化
Samsungの5nm EUVプロセスに長期的な歩留まり低迷問題 - 韓国メディア報道
SamsungのEUV適用D1z世代のDRAMを分析
imecがロジック向け微細化ロードマップを更新、ASMLが超高NAのEUV装置の開発を開始
ASMLが台湾にEUVトレーニングセンターを開設、半導体企業の技術者を教育
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