Java 10が本日付で正式リリース。ローカル変数の型推論、ガベージコレクタが入れ替え可能、不揮発性メモリ対応など。Java 9は早くもサポート期間終了
Java 10が本日付で正式リリース。ローカル変数の型推論、ガベージコレクタが入れ替え可能、不揮発性メモリ対応など。Java 9は早くもサポート期間終了 昨年9月に登場したJava 9から、Javaは6カ月ごとのタイムベースによるアップデートサイクルが採用されました。そしてその最初のワンサイクルが経過し、今日3月20日付けでJava 9の次のメジャーバージョンアップとなるJava 10が登場する予定です。 おそらくJava 10の正式な発表は米国時間の3月20日、日本時間では休日となる明日の午前中あたりになると思われます。 Java 10の新機能：ローカル変数の型推論、ガベージコレクタが入れ替え可能など Java 9では、通称「Project Jigsaw」と呼ばれるJavaのモジュール化機能が入り、Javaに対する大きな変更が行われました。しかし今回のJava 10では、それほど大きな機
不揮発性メモリが主役になる次世代マシン「The Machine」、エミュレータをオープンソースで公開。米ヒューレット・パッカード・エンタープライズ
不揮発性メモリが主役になる次世代マシン「The Machine」、エミュレータをオープンソースで公開。米ヒューレット・パッカード・エンタープライズ 米ヒューレット・パッカード・エンタープライズ（HPE）は、従来のコンピュータのアーキテクチャを一新した次世代マシン「The Machine」を開発中です。2020年には製品としてリリースするとしています。 従来のコンピュータは、プロセッサ、メモリ、ストレージを基本的なコンポーネントとしています。コンピュータの心臓部としてプロセッサが必要なのは当然として、メモリとストレージが必要なのは、現在メモリとして使われているDRAMは電源が切れるとその内容を失ってしまうため、電源が切れてもデータやプログラムを保存できる記憶装置としてストレージが必要になるためです。 「The Machine」では高速かつ大容量の次世代不揮発性メモリによりメモリとストレージを
インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ
インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ 現代のコンピュータの基本的なアーキテクチャにおける記憶装置は、電源を切ると消えてしまう一時記憶装置（メインメモリ）と、電源を切っても消えない二次記憶装置（ストレージ）の2つを基本としています。 しかしインテルはこれまでにない新たな記憶装置（不揮発性メモリ）として、「Intel Optane DC persistent memory」（以下Optane DC）のサンプル出荷を開始したと発表しました。下記はそのプレスリリースの一節です。 One that we believe fundamentally breaks through some of the constricting methods for using da
ヤフー株式会社は、2023年10月1日にLINEヤフー株式会社になりました。LINEヤフー株式会社の新しいブログはこちらです。LINEヤフー Tech Blog こんにちは！ ヤフーでデータベースエンジニアをしている松浦です。 インターネットサービスを作る上で、そのデータの保持・管理を担うデータベースは重要なソフトウエアコンポーネントですが、今回のTech Blogでは、ヤフーにおけるデータベース技術の研究開発についてのお話をします。 ヤフー社内では、さまざまなデータベースを運用していますが、そのデータベースを最新のハードウエアに対応させる研究開発を行っています。 具体的には、不揮発性メモリを有効に活用するMySQLのストレージエンジン「Leo」の開発に取り組んでいます。 本日は、Leoについて簡単にご紹介をします。 不揮発性メモリとは？ まず、前段として、Leoのお話をする前に、不揮発性
従来型のフラッシュメモリーに比べて消費電力が20分の1で済み、書き込み速度は20倍、半分の大きさでも耐久力は10倍だという高速・高性能なメモリー「RRAM」をベンチャー企業Crossbarが開発しました。「次世代の不揮発性メモリー」をうたっており、ごく小さな1枚のチップ上に1TBのストレージが載せられるようになっています。 Crossbar - Crossbar Emerges from Stealth-Mode; Unveils Crossbar RRAM Non-Volatile Memory Technology http://www.crossbar-inc.com/events/press-releases/crossbar-emerges-from-stealth-mode.html PCやスマートフォンに組み込まれるストレージの容量は年々増加してきていますが、それに伴って消費
ヤフー株式会社は、2023年10月1日にLINEヤフー株式会社になりました。LINEヤフー株式会社の新しいブログはこちらです。LINEヤフー Tech Blog みなさん、こんにちは！ ヤフーでデータベースエンジニアをしている松浦です。 以前、不揮発性メモリに最適化したMySQLのストレージエンジン開発についてのブログ記事を執筆いたしました。 今回のブログ記事は、その続報です。不揮発性メモリ上のデータベースにおける、高可用性構成やその監視・運用に関わる研究開発成果をご紹介します。 前回記事の振り返り さて、本題に入る前に、まずは、前回のブログ記事の簡単な振り返りをさせてください。 前回のブログ記事では、DRAMのようにバイト単位でアクセスが可能だが、DRAMとは異なり、サーバの電源遮断後もデータが残り続け、また、NVMe SSDよりも高速な記憶デバイスである「不揮発性メモリ」の紹介をしまし
サーバの電源が失われてもメモリの内容は失わない、HPEが不揮発性メモリ「HPE 8GB NVDIMM」搭載の第9世代ProLiant発表
サーバの電源が失われてもメモリの内容は失わない、HPEが不揮発性メモリ「HPE 8GB NVDIMM」搭載の第9世代ProLiant発表 電源が落ちればメモリの内容は失われる。これは従来のコンピュータでは避けられません。そのため、失われると困る大事なデータはすべて永続的レイヤ、すなわちストレージに保存する必要がありました。 例えばデータベース処理を高速に行うためにデータをメモリに置くインメモリデータベースでも、万が一の時にトランザクションの内容を失わないように、つねにログをストレージに保存し続けています。 しかしストレージへの書き込みはメモリへの書き込みに比べて遅く、一般には処理時間にして数万倍から数百万倍も時間がかかるため、ストレージへの書き込み速度が全体の速度を制約しがちです。 もしも電源が落ちてもメインメモリの内容が失われないことが保証されるのであれば、いちいちストレージへデータを書
Google Cloud、インテルの不揮発性メモリ「Optane DC persistent memory」を利用開始。7テラバイトのメインメモリを持つ仮想マシンを提供
Google Cloudは、インテルが現在ベータプログラムとして展開している不揮発性メモリ「Optane DC persistent memory」を利用したクラウドサービスのアルファ版を提供開始すると発表しました。 Optane DC persistent memoryはメモリスロットに搭載することでサーバのメインメモリとして利用可能な不揮発性メモリです。 参考：インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ 通常のメインメモリはDRAMが使われますが、Optane DC persistent memoryはインテルとマイクロンが開発した「3D XPoint」（スリーディークロスポイント）が使われています。 3DXPointは、DRAMとは異なり電源が失われても保
NANDより1000倍速くて1000倍長寿命。IntelとMicronが発表した新世代の不揮発性メモリ技術とは？ ライター：塩田紳二 北米時間7月28日，IntelはメモリチップメーカーのMicron Technology（以下，Micron）と協同で，新しいメモリ技術「3D XPoint」（3Dクロスポイント）を発表した。3D XPoint技術で作られるメモリ（以下，3D XPoint）は，既存のNAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で，1000倍の寿命があり，しかも10倍のセル密度を実現できるという。 もう「夢のメモリ技術」としか言いようがない感じだが，果たしてこれは何であって，ゲームとはどう関わる可能性があるだろうか。本稿では，発表された3D XPointの概要を紹介してみたい。 NANDよりも1000倍速くて1000倍長寿命で，10倍高密度，というのが3D XPointだ
現在のところ、不揮発性メモリはNAND型フラッシュメモリが主流ですが、より高速で信頼性の高いMRAMやReRAMなど次世代の不揮発性メモリの製品化のニュースが今月に入り続けて報じられています。 MRAM、ReRAMが相次いで市場投入 DRAMの代わりにMRAM（Magnetoresistive RAM、磁気抵抗変化メモリ）をキャッシュメモリに使ったSSDを初めて製品化するのはバッファローです。EE Times Japanが先々週報じています。 メモリ/ストレージ技術 SSD：業界初のMRAM搭載SSD、バッファローが産業向けに製品化 - EE Times Japan バッファローメモリは、MRAM（磁気抵抗変化メモリ）をキャッシュメモリとして使った産業分野向けSSDを開発し、特定顧客を対象にしたサンプル提供を開始した。「MRAMを搭載したSSDの製品化は業界初」（同社）という。4Gバイトと
米インテルは7月28日に発表した2022年第2四半期の決算報告「Intel Reports Second-Quarter 2022 Financial Results」において、「In Q2 2022, we initiated the winding down of our Intel Optane memory business.」（2022年第2四半期において、われわれはIntel Optaneメモリビジネスの終了に向けての動きを開始した）と発表し、Optaneメモリのビジネスを終了させる意向を明らかにしました。 Optaneは、インテルとマイクロンが開発した「3D XPoint」と呼ばれる不揮発性メモリを利用した製品群です。アクセス速度はNAND型フラッシュメモリよりも高速でDRAMよりもやや遅いながらも容量当たりの価格はDRAMよりも安いという特徴を備え、コンシューマや企業向け高
「ストレージクラスメモリ」がついに実用化。DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステントメモリ」と新Xeonプロセッサ、一般販売開始
「ストレージクラスメモリ」がついに実用化。DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステントメモリ」と新Xeonプロセッサ、一般販売開始 ストレージの世界では、不揮発性メモリによって構成されたフラッシュストレージの登場によって技術的にも市場的にも大きな変革が起こりました。かつて主流だったハードディスクドライブを基盤とした技術や製品は、すでに時代遅れなものになりつつあります。 それと同じような大きな変化が、今度はメモリの分野で起きようとしています。不揮発性メモリを大容量メインメモリに用いる、いわゆる「ストレージクラスメモリ」の実現です。 米インテルは4月2日、イベント「Data-Centric Innovation Day」を開催。DRAMと同じDDR4スロットにさせる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステント・メモリ」と、こ
Linux Kernel 5.15リリース。LTS版、新しいNTFS対応ドライバ、インカーネルSMB 3サーバ、不揮発性メモリへのスワップアウトなど新機能
Linux Kernel 5.15リリース。LTS版、新しいNTFS対応ドライバ、インカーネルSMB 3サーバ、不揮発性メモリへのスワップアウトなど新機能 Linuxカーネルの最新版となるLinux Kernel 5.15が10月31日付けで正式にリリースされました。 Linuxカーネルは毎年「Longterm Maintenance Kernel」と呼ばれる長期リリース版（いわゆるLTS版）が登場します。2019年は11月に登場したバージョン5.4が、2020年は12月に登場したバージョン5.10がLongterm Maintenance Kernelに設定されました。 今年は今回のLinux 5.15がLongterm Maintenance Kernelとなり、少なくとも2023年10月までメンテナンスが行われることが表明されています。 Linux Kernel 5.15では新しいN
7月10日(現地時間) 発表 ●理想のメモリLSIを求めて 米国の大手半導体ベンダーFreescale Semiconductorは10日(現地時間) 、4Mbit MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)の量産を始めたと発表した。 MRAMは半導体業界で、「究極の不揮発性メモリ」と期待されてきた。将来、PCやサーバーなどのメインメモリに採用されれば、使用環境を一変させる可能性を秘めているからだ。 MRAMが製品化されたこの機会を捉え、理想のメモリLSIについて述べるとともに、最初のMRAMとなったこの製品の位置付けを考えてみたい。 まず、理想のメモリLSIとは何かについて考えよう。これには、いろいろな条件がある。 ・電源を切ってもデータが半永久的に消えないこと(不揮発性) ・データを高速に読み出せること(高速読み出し) ・データを高速に書き込
さとう・いちろう／国立情報学研究所・情報社会相関研究系教授。1991年慶応義塾大学理工学部電気工学科卒業。1996年同大学大学院理工学研究科計算機科学専攻後期博士課程修了。博士（工学）。1996年お茶の水女子大学理学部情報学科助手、1998年同大助教授、2001年国立情報学研究所助教授を経て、2006年から現職。また、総合研究大学院大学・複合科学研究科情報学専攻教授を兼任。 専門はミドルウェアやOSなどのシステムソフトウェア。 佐藤一郎のパースペクティブ 分散システムの研究を核としつつ、ユビキタス、ID、クラウド、ビッグデータといった進行形のテーマに対しても、国内外で精力的に発言を行っている気鋭のコンピュータ・サイエンス研究者が、社会、経済、テクノロジーの気になる動向について、日々の思索を綴る。 バックナンバー一覧 コンピュータにメモリ（主記憶）は必須です。そのメモリとしてはDRAMが広く
インメモリDBの「SAP HANA」、インテルの不揮発性メモリに正式対応。サーバダウン時もデータを失わず高速起動
インメモリDBの「SAP HANA」、インテルの不揮発性メモリに正式対応。サーバダウン時もデータを失わず高速起動 SAPは同社のインメモリデータベース「SAP HANA」のアップデートリリース「SPS03」で、インテルの不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」に正式対応し、データベースの一部を不揮発性メモリに配置することを可能にすると発表しました（SAP HANAのブログ、インテルのブログ）。 Intel Optane DC persistent memoryは、メインメモリのDRAMと同じくDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリで、インテルが6月1日に正式発表したばかりです。サンプル出荷が開始されており、2019年に本格出荷が予定されています。 Intel Optane DC persistent memoryを利用することのメリットは2つ挙げ
インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか？ 新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは | JBpress (ジェイビープレス)
謎のメモリ「3D XPoint」（スリーディー・クロスポイント） ここ数週間、半導体業界人が寄ると触ると噂話をするホットな話題がある。それは、7月末に、米インテルと米マイクロンが、「1989年のNANDフラッシュメモリ以来のブレイクスルー」と大々的に発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」についてである。 両社によれば、その特徴は以下の通りである。 （1）アクセス時間はNANDの1000倍（数十ナノ秒） （2）書き換え可能回数もNANDの1000倍（約10の8乗回） （3）メモリセル密度はDRAMの10倍（128ギガビット） また、3D XPointの構造は図1のような2階建てとなっており、ワード線とビット線が交差する部分に「セレクタ」および「メモリセル」からなる柱をつくる。セレクタに印加する電圧によりメモリセルへの書き出しと読出しを行うため、トランジスタは不要となる。その結果、メモリ
インテルとオラクル、不揮発性メモリを用いたインメモリデータベースをデモ、劇的な高速化をアピール。Oracle OpenWorld 2017
インテルとオラクル、不揮発性メモリを用いたインメモリデータベースをデモ、劇的な高速化をアピール。Oracle OpenWorld 2017 インテルとオラクルは、インテルが新しく開発した不揮発性メモリ「Intel Persistent Memory」を用いたインメモリデータベースのデモを、サンフランシスコで開催中の「Oracle OpenWorld 2017」で披露しました。 3日前に発表された「Oracle Database 18c」はNVRAM（不揮発性メモリ）対応とされており、Oracle Database 18cとIntel Persistent Memoryの組み合わせで低コストで劇的にデータベース性能を向上できることをアピールしました。 ステージで「Intel Persistent Memory」を用いたインメモリデータベースのデモを行う、インテル シニアバイスプレジデント ゼ
IntelがDIMM型の高速・大容量・低価格の不揮発性メモリ「Optane DC Persistent Memory」を正式発表
Intelが3D XPoint技術を活用する不揮発性メモリ「Optane」に、DIMMモジュール版の「Optane DC Persistent Memory」を正式に発表しました。当初の予定通り2018年内にDIMMインターフェースのOptane DIMMメモリがリリースされます。 Reimagining the Data Center Memory and Storage Hierarchy | Intel Newsroom https://newsroom.intel.com/editorials/re-architecting-data-center-memory-storage-hierarchy/ Intel Announces Optane DC Persistent Memory Is Sampling Now, With Broad Availability In 2019
会期：2月12日～14日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ Marriott Hotel フラッシュメモリは、電源を切っても書き込んだデータが半永久的に残る。電源を入れれば、書き込んだデータを電気的に書き換えられる。そしてデータを高速に読み出せる。さらに最近は、記憶容量当たりの価格(MB単価)が急激に安くなった。この結果、フラッシュメモリは過去、最も普及した半導体不揮発性メモリとなっている。 ただしフラッシュメモリには、いくつかの欠点がある。データの書き込みに時間がかかること、書き換え可能回数が1万回～10万回程度に制限されることなどだ。DRAMやSRAMなどに比べると、不揮発性であることを除けば使いやすいとはあまり言えない。機器設計やメモリカード設計などの工夫でフラッシュメモリの欠点をエンドユーザーにはそれほど目立たないようにしていることと、不揮発性で安価という素晴
反強磁性体に歪みを加えることで「0」と「1」を制御――不揮発性メモリの記憶速度が従来の強磁性体の100~1000倍に - fabcross for エンジニア
東京大学を中心とした国際研究チームは、反強磁性体のMn3Snに、一軸性の歪みを加えることで、異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証した。「0」と「1」の情報に対応する信号を検出／制御できるという。研究成果は、2022年8月18日付けで『Nature Physics』に掲載された。 コンピュータやスマートフォンに使われている揮発性の半導体メモリでは、電力供給をしないと情報が失われてしまう。そこで、電源オフ状態でも情報が失われない不揮発性メモリの開発が行われており、近年、磁石として知られる強磁性体を用いた磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化が進んでいる。 反強磁性体は、スピンの応答速度が強磁性体の場合に比べて100~1000倍速く、また、磁化が非常に小さいため素子化した際に漏れ磁場の影響を受けないという特性を持っている。そのため、強磁性体を反強磁性体で代替することで、MRAMのさらなる高
Intelは爆速・大容量の次世代不揮発性メモリ技術「3D XPoint DIMM」メモリの市場投入に向けた動きを進めている
Intelが、2015年に発表していた新メモリ技術「3D XPoint」を使ったドライブ製品の市場投入を進めようとしています。3D XPointは不揮発性メモリの一種で、従来のSSDなどと比較して数倍～10倍程度高い性能を秘めているとされています。 Intel’s Plans for 3DXP DIMMs Emerge https://www.realworldtech.com/intels-3dxp-dimms/ 3D XPointはIntelとMicronによって発表されていた不揮発性メモリの技術です。従来のメモリデバイスとは異なる新しいタイプのデバイスとなっており、研究は2000年代前半から行われてきました。素材や構造はまだ明らかにされていない部分が多いのですが、カルコゲナイドガラス(Ge-Sb-Te)から形成されたビットセルを有する、ヒ素でドープされた「オボニック・スレッショルド・
NIKKEI NETにフラッシュメモリーと比べ、書き込み・読み出し速度が500倍、消費電力が半分という半導体をIBMが開発という短い記事が掲載されていたのでちょいと調べてみたら、ITmediaのIBM、Macronix、Qimonda、相変化メモリ技術で成果という記事に該当するようだ。要は、IBM等が新しい不揮発性メモリ技術として注目される相変化メモリのプロトタイプ設計、製造に成功したとのことである。 相変化メモリは、記録素子に相変化物質GeSbを素材とした膜を用い、膜の一部を電気抵抗力の低い結晶状態にするか、電気抵抗力の高いアモルファス状態にするかで情報を記録するとのこと。性能は前述の通りで、しかも断面積は3×20ナノメートルと、フラッシュメモリよりもかなり小さいらしい。
エルピーダメモリが「ReRAM」（Resistance Random Access Memory、抵抗変化型メモリ）と呼ばれる、新しい不揮発性メモリの開発に成功した（プレスリリース）。 電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として用いることで、電源を落としてもデータを保持できる。このような不揮発性のメモリとしてはNANDフラッシュメモリが知られているが、NANDフラッシュメモリは速度が遅いという欠点があった。ReRAMは10nsというDRAM並の書き換え速度を持ち、またNANDフラッシュメモリの10倍以上の耐久性を持つのが特徴という。 今回の試作品は50nmプロセスで製造され、容量は64メガビット。今後開発を進め、2013年には30nmプロセスでギガビット級の容量を持つReRAMの量産を目指すそうだ。
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