キヤノンが10年越しで開発､｢究極｣の半導体露光

特集「半導体 次なる絶頂」の他の記事を読む 半導体にはナノ（10億分の1）メートル単位の電子回路が刻まれている。回路の線幅が微細なほど、半導体のチップ面積当たりの性能が上がる。その回路を描く「究極の技術」とされるのが、キヤノンが開発の最先端をいく「ナノインプリントリソグラフィ」だ。 回路を描く主流の方法は、大きなガラス板の原版に描いた回路を、高性能なレンズを介してシリコンウェハーと呼ばれるシリコンの板に縮小・投影、波長の短い光で焼き付けるやり方だ。このようにして回路を刻む装置が「半導体露光装置」と言われる。 2000年代まで半導体露光装置は、キヤノンとニコンの日本の2社が合計で約8割の世界シェアを握っていた。しかし現在は、オランダのASMLが一強の状態。EUV（極端紫外線）を使って超微細な回路が描ける露光装置を世界で唯一提供しており、1社で市場シェア8割を握る。 EUV露光装置の開発には多

[qpci32siekqd]

EUVは、波長吸収されるので真空維持、高出力レーザーとその破片による反射光学系やマスクなどへのダメージなど古くなってもコスト高いままになるのはわかりきっているので全部EUVに置き換わるわけじゃないが…。

[yamamototakehisa]

Canonさん頑張って

[huttka]

実用化しても20nmだと微妙じゃないか