MOSFETにゲート抵抗がついている理由と、ゲート抵抗値の求め方について説明します。 FETは大別して、接合型(JFET)とMOS型(MOSFET)があります。 本記事では、MOSFETを単に「FET」と呼ぶことにします。 結論 FETのベース抵抗値 計算式 ゲート抵抗RGは以下の計算で決まります。 RG=Vin / IG ここで、 Vin:入力電圧 IG:ゲート電流 IG = Qg / t Qg:ゲート入力電荷量[nC]* t:ゲート電圧の立上り時間[ns] *はFETのデータシートに記載 *のQgはFETのデータシートに記載されているので、 入力電圧Vinと、ゲート電圧の立上り時間tで求まります。 この式になる理由について説明します。 FETのゲート抵抗値の決め方 FETのゲート(G)-ソース(S)間はコンデンサに置き換えて考えることができます。 FETをオンさせるにはVGSに電圧を加