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Intelは9nm以降の技術を発表、IEDMのプログラムが決まる
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2013年12月に開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」では、FinFETとFDSOIに注目が集まりそうだ。T... 2013年12月に開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」では、FinFETとFDSOIに注目が集まりそうだ。TSMCは16nm FinFETの他、14nmのFDSOIについて論文を発表するという。Intelは、9nm以降で用いるトンネル電界効果トランジスタのモデリングについて説明するようだ。 2013年12月9~11日に米国ワシントンD.C.で開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」の事前プログラムが発表された。これによると、最先端のCMOSプラットフォーム関連の「Session 9」が目玉の1つとなりそうだ。 Session 9では、TSMCが、同社の16nmプロセスのFinFET CMOSに関する論文の発表を行う。それに続き、14nm世代のFDSOI(Fully Depeleted Silicon-on-Insulator)プロセスに関する論文も発表する予定だ