東京工業大学総合理工学研究科の八島正知准教授、および同大学応用セラミックス研究所の伊藤満教授、東北大学多元物質科学研究所の津田健治准教授、静岡大学若手グローバル研究リーダー育成拠点の符徳勝特任准教授らの研究チームは、有害な鉛を含まない電子材料や光触媒として注目されている強誘電体ニオブ酸銀(AgNbO3)の結晶構造を解明することに成功した。ニオブ酸銀は有害な鉛を含まない強誘電体で、優れた圧電性を示すが、1958年の発見以来、正確な結晶構造は分かっておらず、なぜ強誘電性や圧電性を示すのか理解できていなかった。同成果は材料化学の専門誌「Chemistry of Materials」の速報「Communications」に受理され、オンライン版にて公開された。 エレクトロニクス製品では、環境対策として有害な鉛などを含まない材料が求められており、これまでに様々な部品を非鉛系材料に置き換える研究開発が