研究会 - カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子2010-02-22 13:50 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 ○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三（阪大）・葛西誠也（北大）・井上恒一・松本和彦（阪大） ED2009-198 SDM2009-195 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-198 SDM2009-195 微弱信号の応答を増幅することを目的として，カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ (CNT-FETs) を用いた確率共鳴現象の研究を行っている．サブスレッショルド領域のCNT-FETのバックゲートに適切な大きさの雑音を加えた微弱入力パルス列を印加したとき，入力パルス列とソース・ドレイン電流間の相関が増大した．さらに，CNT-FETの疑似的加算ネットワークにおいて，相関の増大が観察された．また，相関係数のピーク幅が広がったことから，疑似的加算CNT-FETネットワークが雑音に対してロバスト
