発表・掲載日:2011/09/02 世界初の電力増幅作用を持つダイヤモンドトランジスタ -省エネに大きく貢献する超低損失パワーデバイスの実現に道- ポイント 低抵抗ダイヤモンド薄膜(高濃度不純物ドーピング層)を利用 ダイヤモンドバイポーラトランジスタを作製し、増幅率10を確認 次世代省エネ社会実現につながるグリーンエレクトロニクス技術 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)エネルギー技術研究部門【研究部門長 長谷川 裕夫】山崎 聡 主幹研究員、電力エネルギー基盤研究グループ【研究グループ長 西澤 伸一】加藤 宙光 研究員、小山 和博 元研修員らは、ダイヤモンド半導体を用いた電力増幅作用を持つバイポーラトランジスタを世界で初めて作製した。 ダイヤモンドには、半導体材料として最も高い絶縁耐圧と最も高い熱伝導率という非常に優れた特長がある。高電圧をかけても