ダイオードの静電容量
Ｐ型とＮ型の半導体を接合すると接合部には空乏層ができます．この空乏層はキャリア濃度の小さい領域でＰ型，Ｎ型の半導体に比べると電気伝導性が低い特徴があります． 図3-2-21はＰＮダイオードの接合部のモデルで，このダイオードに逆バイアスを与えている状態を示しています． 図のようにＰＮダイオードに空乏層が存在する状態では，Ｐ型，Ｎ型それぞれ，キャリアの多く存在する領域と空乏層のキャリアが少ない領域とに分かれます． それらキャリア濃度の異なる領域は，キャリア濃度に応じて電気伝導性も異なっています．図3-2-21では導体領域と非導体領域とを極端に分離して図示していますが，実際は，リニアな濃度勾配を示していると思います． ここでは，この電気伝導性の低い空乏層を電気伝導性の高いＰ型，Ｎ型の領域で挿んでいる構造に着目していきます． 絶縁体を２枚の電極板（導体）で挿む構造は，ちょうどコンデンサの構造に似て
大川電子設計の技術資料館
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