実際の素子について - OKWAVE
現実的に、コイルLには残留抵抗RLがあります。また、コンデンサCには漏れコンダクタンスGCがあります。残留抵抗や漏れコンダクタンスがなぜ発生するのでしょうか？またこれらを抑えるにはどのようにしたらよいのでしょうか？どなたか教えてください。お願いします。 いろいろ調べ、また自分自身の考えでは、残留抵抗RLが発生するのはコイルが導線で作られており、その導線の抵抗が残留抵抗となっている。そしてそれを抑えるには、コイルの長さを短くすることにより対処できる。自分は以上のように考えました。この考えの成否もあわせて教えていただければ幸いです。
高周波用抵抗器について - OKWAVE
高周波まで特性が一定の抵抗です。 高周波に対する影響としては １）抵抗体が巻いてあることによるインダクタンス。 ２）リード線のインダクタンス。 ３）抵抗体と他の導体間の浮遊容量。 ４）表皮効果。 があります。 これらの原因による特性劣化を考慮した物を一般に高周波抵抗と呼びます。 また、これらの影響が出てくる周波数は一般に短波帯以上です。数十MHｚ以上になれば何らかの影響が出はじめます。中波帯ではあまり考慮しなくても大丈夫です。
Microsoft Word - 第6章MOSFET＿20110116
Internet 版 11/2/8 版 第6章 MOSFET 能動動作をする半導体デバイスとして、東の横綱をバイポーラトランジスタとするなら、 MOSFET はさながら西の横綱といったところであろう。MOSFET は理解する過程でキャ リアの拡散の概念を必要とせず、オームの法則と電磁気学の基礎があれば理解できる。前 章を読み進めた読者にとっては大変簡単に思われるかもしれない。この章でほぼ集積回路 に登場するすべてのデバイスを理解することになるため、一気に読んで自分のものにして いただきたい。これを理解すれば、半導体デバイスのほとんどをカバーできることであろ う。 １． MOSFET の概略 MOSFET は Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor、金属-酸化物-半導 体接合電界効果トランジスタの略称である。 図 1 に
オペアンプの特性で、入力オフセット電流と入力バイアス電流の意味はわかったのですが、具体的にこの値が小さかったり、大きかったりするとど... - Yahoo!知恵袋
オペアンプも入力には僅かながら電流が流れます。これが入力バイアス電流ですよね。信号源や入力回路の直流インピーダンスが高い場合、例えば１ＭΩだとしましょう。ここで入力バイアス電流が０．１μＡだった場合、信号源が０Ｖを出力してしても、１ＭΩに０．１μＡの電流が流れますので、オペアンプの入力は０．１Ｖの電圧が発生します。またこれが回路の組み方によっては増幅率倍され、出力端子に現れてきます。ですから入力バイアス電流は小さい方がいいんですね。 オペアンプの非反転入力にも反転入力にも入力バイアス電流が流れますが、この電流は同じというのではなく、これもやっぱりばらつきがあったりします。非反転入力のバイアス電流と反転入力の入力バイアス電流がどれくらい違うかを表すものが入力オフセット電流ですよね。 これは差動入力回路を組んだりすると顕著に表れてきます。差動入力回路は非反転入力と反転入力の間の電圧が０Ｖだと出
バリスタ - Wikipedia
バリスタ、バリスター バリスタ (電子部品)（英語: varistor） - 非直線性抵抗素子。電子部品の一種。 バリスタ (兵器)（ラテン語: ballista） - 古代から中世にかけて欧州で用いられた巨大な弩砲の一種。 法廷弁護士（英語: barrister, barrister-at-law）のこと。 バリスタ (コーヒー)（イタリア語: barista） - エスプレッソを出す店（バール）で働く人。 ネスカフェ バリスタ - ネスカフェが開発したインスタントコーヒー専用コーヒーサーバー。 バリスタ (漫画) - 原作：花形怜、作画：むろなが供未による漫画。 バッリスタ（Ballista） - 軍人皇帝時代のローマ帝国の軍人。バリスタ（Balista）とも。 このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にして
差動増幅回路の基礎2、テール電流、差動対、切り替わり特性、アンプ入力段など
１、差動増幅器回路の考え方 Fig.1 よく使う差動増幅器の 基本回路構成 入力電圧の差分電圧ΔVinにより、Itail電流をQ1、Q2に振り分けますが、このi1とi2の差分を取り出した電流を今度はioutにシングルエンド変換する過程を考えましょう。 i3とi4はカレントミラー回路を構成しているのでi3≒i4となります。 また、Itail=i1+i2です。 基本的な動作を考えると、Vin1とVin2の電圧差によりi1とi2が変化し、i1=i3なのでカレントミラーにより、i1=i3=i4となるので、ioutはiout=i4-i2となります。入力の電圧差が±ioutとなり出力されます。この考え方が基本です。
The Bipolar Circuits、バイポーラトランジスタ回路専門、回路解説、計算、勉強はここ
待望のバイポーラトランジスタ回路設計勉強サイト バイポーラ回路は面白い！？ このサイトはバイポーラトランジスタを使った回路設計を勉強するページです。NPN、PNPトランジスタの基礎からエミッタ接地回路、エミッタフォロア回路(コレクタ接地)、ベース接地回路、カスコード接続、ダーリントン接続、差動増幅器、スイッチング回路、バイアス回路などバイポーラトランジスタ回路の基本的な考え方を勉強していくと共に、それぞれの使い方や意味、動作原理など説明。βやVA(アーリ電圧)、gmなどのパラメータを使って計算していきます。ここで扱う特性は出力電圧、入出力特性、ゲイン、入力インピーダンス、出力インピーダンス、パルス応答、周波数特性など解説していく予定です。実際の回路設計で使え、どうすれば楽できるか？そんな役に立つページを目指していきます！！ 早速読み始める 回路の解説 エミッタ接地回路など、基本回路を順に勉
ダイオードの静電容量
Ｐ型とＮ型の半導体を接合すると接合部には空乏層ができます．この空乏層はキャリア濃度の小さい領域でＰ型，Ｎ型の半導体に比べると電気伝導性が低い特徴があります． 図3-2-21はＰＮダイオードの接合部のモデルで，このダイオードに逆バイアスを与えている状態を示しています． 図のようにＰＮダイオードに空乏層が存在する状態では，Ｐ型，Ｎ型それぞれ，キャリアの多く存在する領域と空乏層のキャリアが少ない領域とに分かれます． それらキャリア濃度の異なる領域は，キャリア濃度に応じて電気伝導性も異なっています．図3-2-21では導体領域と非導体領域とを極端に分離して図示していますが，実際は，リニアな濃度勾配を示していると思います． ここでは，この電気伝導性の低い空乏層を電気伝導性の高いＰ型，Ｎ型の領域で挿んでいる構造に着目していきます． 絶縁体を２枚の電極板（導体）で挿む構造は，ちょうどコンデンサの構造に似て
ｐｎ接合ダイオードの特性に関する基礎実験
p-n接合ダイオードの特性に関する基礎実験 [PowerPoint] 1 目的 p-n接合ダイオードは、バイポーラトランジスタやサイリスタなどの基本となるものであり、p-n接合の理屈を正しく理解することは、様々なデバイスの基礎的現象や動作特性を理解するためにも重要となります。 そのために、本実験では半導体を学ぶ上で基礎となるｐｎ接合ダイオードの電気特性を測定し、電子工学の基礎となるｐｎ接合ダイオードを理解することを目的とし、電子工学の講義で学んだ半導体およびｐｎ接合ダイオードの理論、C-V特性についての理論に関する実験を行います。実験としてはダイオードの評価法の中で最も基本的な手法であるC-V測定を行い、測定データの解析から半導体の諸特性を評価します。 2 理論 2.1 半導体 半導体とは、いったいどういうものでしょうか？ 半導体の正確な定義はないのですが、以下にいくつかの特徴をかき
電子回路の豆知識
この項目では、比較的良く使われるオペアンプ回路を紹介します。オペアンプの回路は基本的な形を次々と発展させることでどんどん複雑になります。そのため、階層構造を用いたらわかりやすいかな、とおもいまして階層的に記述してあります。 コンパレーター ヒステリシスコンパレータ(シュミットトリガ) 反転増幅器 帰還抵抗の分割(Up date 0727) 反転増幅器+オフセットUp date 0725 非反転増幅器(Up date 0725) ボルテージフォロア(Up date 0727) 差動増幅器(Up date 0727) 差動増幅器1(Up date 0727) 差動増幅器2(Up date 0727) インスツルメンテーション・アンプ(Up date 0727) 定電流回路(Up date 0727) 定電圧回路(Up date 0727) 加算回路(Up date 0727) コンデンサ付き
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細胞コンピューター「BIL Gates」
抵抗器の使い方（用途） / 抵抗器のKOA
http://ecwkit.nomaki.jp/shiryou/face/face-new-r.html
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