誘電率と透磁率の関係について教えて下さい。2つの関係は真空中では(光速)^2=1/{(真空の誘電率)(真空の透磁率)}ですが、 一般的にある物質の誘電率と透磁率の関係はあるのでしょうか?それは物質によりけりで関係はないのでしょうか? どうぞお知恵をお貸し下さい。
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必要なエネルギーを供給してやれば、伝導体の同じKのところに、 フォノンの吸収なしで垂直遷移しますが、それは間接遷移とは呼びません。 直接遷移です。定義を確認しましょう。 直接遷移:フォトンを吸収して伝導帯まで励起。 間接遷移:フォトンを吸収、さらにフォノンを吸収または生成して伝導帯に励起。 ついでに、こっちも確認した方が良いかもしれません。 直接ギャップ型半導体: 伝導帯の底の真下に、価電子帯のテッペンがある。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、直接遷移が起こる。 間接ギャップ型半導体:伝導帯の底と価電子帯のテッペンがΔKだけずれてる。 遷移に必要なギリギリのエネルギーを与えると、間接遷移が起こる。 おそらく質問者さまもそうだと邪推するのですが、間接ギャップ型半導体の 説明図を見て「この種類の半導体では、必ず間接遷移が起きるのかな」 という誤解をしてしまう人は多いらしく、手持ちの
化学が難しいと言うよりも、化学は経験則の上に成り立っている学問なので その根底にある物理をきちんと理解してないとただの暗記物になってしまって理屈がわからなくなります。 金属「性」という言葉も非常に曖昧なのですが、ここで言っているのは良伝導体としての金属の性質ではなく 陽イオンになりやすいという元素としての化学的な性質のことです。 基本的には自由電子を持っていて電気がどちらの方向にも自由に流れるものを狭い意味での金属と呼びます。 もう少し物理学的に難しく言うと価電子バンドと伝導バンドの間にバンドギャップのないものが金属です。 金属性の強さとは、このバンドの重なりの大きさであると理解することが可能です。 この物理学的なバンドによる定義を導入すれば金属と非金属は厳密に区別できます。 ケイ素やゲルマニウムはバンドギャップが存在するので完全に非金属です。 ところが、このギャップの大きさは小さく、室温
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