産総研、大面積ダイヤモンドウエハー実現可能に産業技術総合研究所（産総研）は、マイクロ波プラズマCVD法を用い、クラックがない体積1cm△△3△△級の単結晶ダイヤモンド作製に成功した。インチサイズのウエハー実現に大きく近づいた。 ガスを原料に体積1cm3級の単結晶ダイヤモンド作製 産業技術総合研究所（産総研）は2019年3月、マイクロ波プラズマCVD法を用い、クラックがない体積1cm3級の単結晶ダイヤモンドの作製に成功したと発表した。この製造方法はガスを原料としており、インチ級サイズの単結晶半導体ウエハー作製も可能とみている。 次世代パワー半導体の性能向上や省電力を可能にする新材料として、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）、Ga2O3（酸化ガリウム）、ダイヤモンドなどが注目されている。 特に、ダイヤモンドは耐圧や熱伝導率などに優れているため、実用化が期待されている材料の1つである。しかし、これまで製造に用いてきた高温高圧法だ
