Siの限界を突破する！ 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
Siの限界を突破する！ 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功：損失も低減（1/2 ページ） 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。 パワーデバイス領域において、シリコン関連技術は成熟し、限界に近いとされている。だが、シリコンでブレークスルーを起こせば、インパクトは非常に大きい。だからこそ、シリコンでのブレークスルーに挑戦している――。 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を、ゲー
パナソニックが半導体事業の一部をロームに譲渡
ロームは2019年4月23日、パナソニックから、半導体事業部門であるパナソニック セミコンダクターソリューションズのダイオードおよびトランジスタ事業の一部を譲り受けることを決定したと発表した。 ロームは2019年4月23日、パナソニックから、半導体事業部門であるパナソニック セミコンダクターソリューションズのダイオードおよびトランジスタ事業の一部を譲り受けることを決定したと発表した。ロームの広報によると金額は非公開。譲渡完了は2019年10月を予定している。 譲り受ける事業は、小信号のトランジスタとダイオードで、具体的には、トランジスタはバイポーラ、抵抗内蔵型、接合型電界効果、ダイオードはショットキーバリア、TVS、ツェナー、スイッチング、ファストリカバリーとなっている。パワーデバイスは含まれない。 譲り受けるデバイスの製造については、当面はロームからパナソニック セミコンダクターソリュー
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