Siの限界を突破する！ 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功Siの限界を突破する！ 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功：損失も低減（1/2 ページ） 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。 パワーデバイス領域において、シリコン関連技術は成熟し、限界に近いとされている。だが、シリコンでブレークスルーを起こせば、インパクトは非常に大きい。だからこそ、シリコンでのブレークスルーに挑戦している――。 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を、ゲー
