Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功:損失も低減(1/2 ページ) 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。 パワーデバイス領域において、シリコン関連技術は成熟し、限界に近いとされている。だが、シリコンでブレークスルーを起こせば、インパクトは非常に大きい。だからこそ、シリコンでのブレークスルーに挑戦している――。 2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲー
![Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/54e3b759a5ed5ad0299b73e63a0772d5c78fef6e/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fimage.itmedia.co.jp%2Fee%2Farticles%2F1905%2F28%2Fcover_news120.jpg)