省電力の高速CPUにつながる？ 「CasFET」技術
米国パデュー大学の研究チームは、より小型で高密度、低電圧、低消費電力の次世代トランジスタにつながる可能性のある技術を発表した。この研究成果によって、より少ない電力でより多くの演算を行う、高速CPUが実現するかもしれない。バデュー大学が「CasFET（Cascade Field-Effect Transistor）」と呼ぶこの技術は、半導体のスケーリングの課題と最先端の半導体設計の製造コストの高騰に対処すると期待されている。 米国パデュー大学（Purdue University）の研究チームは、より小型で高密度、低電圧、低消費電力の次世代トランジスタにつながる可能性のある技術を発表した。この研究成果によって、より少ない電力でより多くの演算を行う、高速CPUが実現するかもしれない。バデュー大学が「CasFET（Cascade Field-Effect Transistor）」と呼ぶこの技術は、
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス：IoT用マイコンの低電力化に向け（1/2 ページ） ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。 ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表された
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