混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス：IoT用マイコンの低電力化に向け（1/2 ページ） ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。 ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表された
