タムラ製作所は実装後にハンダ周囲の温度が200度Cまで上昇しても接合状態が劣化しないパワー半導体向け鉛フリーハンダ接合材を開発した。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。3月からサンプル提供を始め、2023年以降の量産化を目指す。 電気自動車(EV)や産業用電源向けに需要拡大が期待されるパワー半導体の素子接続部は、使用時に150度C前後の高温になる。SiCやGaN、酸化ガリウムを使った次世代パワー半導体の場合、接続部の温度は200度C前後に高まるとされる。 スズに微量の銀や銅を添加した一般的な鉛フリーハンダでは耐熱性が足りないケースが多い。タムラ製作所が開発した新しい鉛フリーハンダの組成は、スズにアンチモンや銅などを添加し、耐熱性を確保した。 通常の鉛フリーハンダの場合、実装すると接続部材のメッ