東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。 銀焼結による接合を採用 東芝デバイス＆ストレージは2021年5月、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。 開発したパッケージ技術「iXPLV」は、銀焼結による接合を採用した。これにより、素子と銅板の接合部が劣化するのを抑えることができるという。しかも、従来のはんだによる接合に比べて熱抵抗が小さく、パッケージ内部に熱がこもりにくいため、チップの実装密度を高めることが可能になり、パッケージの面積削減を可能にした。 例えば、同じ耐圧の製品で外形寸法を比べると、従来品の140×130mmに対し、
