オン抵抗を大幅低減、東芝のSJ－MOSFETスーパージャンクション構造を採用 東芝は2017年1月、オン抵抗とスイッチング特性を改善した耐圧800Vのスーパージャンクション構造nチャネルパワーMOSFETを発表した。「DTMOS IV」シリーズの製品群として、今回は新たに8製品を追加した。 新製品は、耐圧を維持しつつ、オン抵抗を低減することができるスーパージャンクション構造を採用した。これにより、単位面積当たりのオン抵抗を、同社従来製品「π-MOSVIII」シリーズに比べて、約79％低減できたという。例えば、ドレイン電流17Aの「TK17A80W」は、オン抵抗が0.29Ωである。スイッチング特性の改善により、電源効率を向上させることも可能とした。 新製品は、パッケージが「TO-220SIS」と「TO-220」の2種類を用意している。それぞれにドレイン電流が17A、11.5A、9.5A、6.5Aの製品があり、合計で8製品となる。
