東工大、高効率で高輝度の緑色LED用材料を開発東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の平松秀典准教授らによる研究グループは、室温で緑色発光するペロブスカイト硫化物の新半導体「SrHfS▽▽3▽▽」を開発した。 適切な元素置換で、p型／n型半導体の電気特性も制御 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の平松秀典准教授らによる研究グループは2019年4月、室温で緑色発光するペロブスカイト硫化物の新半導体「SrHfS3」を開発したと発表した。適切な元素置換で、p型／n型半導体の電気特性や光学特性を制御することが可能である。 青色や赤色のLEDには主に、InGaN系（窒化物）やAlGaInP系（リン化物）のIII-V族半導体材料が用いられている。ところが、これらの材料は緑色域で光変換効率が大きく低下する、「グリーンギャップ」が問題となっていた。
