Microsoft Word - 第6章MOSFET＿20110116
Internet 版 11/2/8 版 第6章 MOSFET 能動動作をする半導体デバイスとして、東の横綱をバイポーラトランジスタとするなら、 MOSFET はさながら西の横綱といったところであろう。MOSFET は理解する過程でキャ リアの拡散の概念を必要とせず、オームの法則と電磁気学の基礎があれば理解できる。前 章を読み進めた読者にとっては大変簡単に思われるかもしれない。この章でほぼ集積回路 に登場するすべてのデバイスを理解することになるため、一気に読んで自分のものにして いただきたい。これを理解すれば、半導体デバイスのほとんどをカバーできることであろ う。 １． MOSFET の概略 MOSFET は Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor、金属-酸化物-半導 体接合電界効果トランジスタの略称である。 図 1 に
バリスタ - Wikipedia
バリスタ、バリスター バリスタ (電子部品)（英語: varistor） - 非直線性抵抗素子。電子部品の一種。 バリスタ (兵器)（ラテン語: ballista） - 古代から中世にかけて欧州で用いられた巨大な弩砲の一種。 法廷弁護士（英語: barrister, barrister-at-law）のこと。 バリスタ (コーヒー)（イタリア語: barista） - エスプレッソを出す店（バール）で働く人。 ネスカフェ バリスタ - ネスカフェが開発したインスタントコーヒー専用コーヒーサーバー。 バリスタ (漫画) - 原作：花形怜、作画：むろなが供未による漫画。 バッリスタ（Ballista） - 軍人皇帝時代のローマ帝国の軍人。バリスタ（Balista）とも。 このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にして
ダイオードの静電容量
Ｐ型とＮ型の半導体を接合すると接合部には空乏層ができます．この空乏層はキャリア濃度の小さい領域でＰ型，Ｎ型の半導体に比べると電気伝導性が低い特徴があります． 図3-2-21はＰＮダイオードの接合部のモデルで，このダイオードに逆バイアスを与えている状態を示しています． 図のようにＰＮダイオードに空乏層が存在する状態では，Ｐ型，Ｎ型それぞれ，キャリアの多く存在する領域と空乏層のキャリアが少ない領域とに分かれます． それらキャリア濃度の異なる領域は，キャリア濃度に応じて電気伝導性も異なっています．図3-2-21では導体領域と非導体領域とを極端に分離して図示していますが，実際は，リニアな濃度勾配を示していると思います． ここでは，この電気伝導性の低い空乏層を電気伝導性の高いＰ型，Ｎ型の領域で挿んでいる構造に着目していきます． 絶縁体を２枚の電極板（導体）で挿む構造は，ちょうどコンデンサの構造に似て
ｐｎ接合ダイオードの特性に関する基礎実験
p-n接合ダイオードの特性に関する基礎実験 [PowerPoint] 1 目的 p-n接合ダイオードは、バイポーラトランジスタやサイリスタなどの基本となるものであり、p-n接合の理屈を正しく理解することは、様々なデバイスの基礎的現象や動作特性を理解するためにも重要となります。 そのために、本実験では半導体を学ぶ上で基礎となるｐｎ接合ダイオードの電気特性を測定し、電子工学の基礎となるｐｎ接合ダイオードを理解することを目的とし、電子工学の講義で学んだ半導体およびｐｎ接合ダイオードの理論、C-V特性についての理論に関する実験を行います。実験としてはダイオードの評価法の中で最も基本的な手法であるC-V測定を行い、測定データの解析から半導体の諸特性を評価します。 2 理論 2.1 半導体 半導体とは、いったいどういうものでしょうか？ 半導体の正確な定義はないのですが、以下にいくつかの特徴をかき
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