ここまで分かってきたランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ，東北大が講演ゲート絶縁膜材料に対する依存性の解析結果 膜厚に関係なく，SiONを使った場合にRTS雑音が大きいことが分かる。須川氏のデータ。 MOSトランジスタで発生するランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ（RTS雑音）。20～30年以上前から研究されているが，未だに原因が特定されていない。MOSの微細化が進み，最近ではその影響が顕在化してきた。東北大学は独自のTEGを使ってRTS雑音の解明を進めている。その最新の成果が報告された。 この報告は，電子情報通信学会の集積回路研究会と映像情報メディア学会の情報センシング研究会が北海道大学で2008年10月22日～24日に共催した研究会の招待講演として行われた。講師は，東北大学教授の須川成利氏（東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻）が務めた。 キャリア１個で誤動作も RTS雑音は，MOSトランジスタのチャネル内を移動するキャリア（電子/正孔）の一つ
