「LEDがない」フォトカプラ、絶縁性能は40年持続
「LEDがない」フォトカプラ、絶縁性能は40年持続：置き換えるだけで製品寿命を延長（1/2 ページ） Texas Instruments（TI）が、フォトカプラとピン互換性を持つ絶縁ICの新製品を発表した。信号の送信回路／受信回路によってフォトカプラの機能を模擬するもので、LEDを搭載していない。LEDの経年劣化による絶縁性能の低下がなくなるので、システム全体の絶縁寿命を延ばせるという。 Texas Instruments（TI）は2023年9月、絶縁デバイスの新製品「フォトカプラ エミュレータ」を発表した。製品名の通り「フォトカプラの機能を模擬する」アナログCMOSベースの半導体ICで、既存のフォトカプラとピン互換性を持つ。経年劣化を起こすLEDを搭載していないので、フォトカプラ エミュレータに置き換えるだけで、システムの絶縁寿命を延ばすことができるのが大きな特長だ。 フォトカプラ エミ
ジャンクション温度の計算（5）―― 繰り返しパルス列の温度計算
前回までは各種形状の単パルス損失が発生した時の温度上昇の求め方について技術的な検証を含めて説明してきました。この章の目的は最終的には実機の過渡温度上昇を求めることにありますが実機においては単パルスではなく同じ損失が繰り返し発生します。今回はこの繰り返し損失波形の温度上昇について考えていきます。 繰り返しパルス列の温度計算 市販されている多くのパワーMOSFETのカタログには図1（a）に示すように、「矩形波状、最大損失P、パルス幅tw、周期ts」の繰り返しパルス列が加えられた時の印加時間比率（δ）と熱抵抗Rth(δ)の関係が過渡熱抵抗曲線として表記されています（δ＝tw/ts）。 MOSFETの熱等価回路は図1（b）に示すように複数の熱時定数を持つ構造として表現できます。この回路構成はローパスフィルターですのでパルス周期（ts）がカットオフ時定数よりはるかに短い（45°モデルが成立する）場合
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