脳に似せた半導体「最後のパズル」はめた…サムスン、「インメモリーコンピューティング」を世界で初めて実現
サムスン電子が人の脳に似せた次世代半導体技術の実現に向けた最後のパズルをはめるのに成功した。 サムスン電子は１３日、磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）基盤の「インメモリーコンピューティング」を世界で初めて実現し、研究結果を学術誌ネイチャーに掲載したと明らかにした。インメモリーコンピューティングはメモリー内でデータの保存だけでなく演算まで行う最先端チップ技術だ。既存の技術より電力消費が顕著に低く次世代低電力人工知能（ＡＩ）チップを作る技術として注目されている。 サムスン電子関係者は「今回の研究はシステム半導体工程と組み合わせて大量生産が可能な非揮発性メモリーであるＭＲＡＭを世界で初めてインメモリーコンピューティングで実現し、次世代低電力ＡＩチップ技術の地平を拡張したということに大きな意味がある」と明らかにした。 これまで抵抗メモリー（ＲＲＡＭ）、相変化メモリー（ＰＲＡＭ）素子を活用したインメモリー
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス：IoT用マイコンの低電力化に向け（1/2 ページ） ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。 ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表された
東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功
東北大学は、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク（SOT）型磁気トンネル素子の作製に成功した。SOT-MRAMセルとしての動作も確認した。 熱処理耐性、高速動作、熱安定性が大きく前進 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）の遠藤哲郎センター長と同電気通信研究所の大野英男教授（現総長）らの研究グループは2019年12月、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク（SOT）型磁気トンネル素子の作製に成功したと発表。開発した素子を用いたメモリ（SOT-MRAM）セルが動作することも確認した。 磁気トンネル接合（MTJ）素子は、磁石の向きで2つの抵抗状態を示すことから、ランダムアクセスメモリとして応用されている。その1つ
東北大学、車載用途に対応可能なMTJ技術を開発
東北大学は、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間（熱安定性）を確保できる磁気トンネル接合（MTJ）技術を開発した。車載システムへのSTT-MRAM応用が可能となる。 現行の2重界面型MTJと同じ材料、プロセスで製造 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは2019年6月、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間（熱安定性）を確保できる磁気トンネル接合（MTJ）技術を開発したと発表した。車載システムや社会インフラ装置などに向けた磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）への応用が期待される。 スピントロニクス技術を用いたSTT-MRAMは、集積回路の消費電力を極めて小さくできる。このため、IoT（モノのインターネット）機器向けアプリケーションプロセッサなどへの応用が注目を集めている。このSTT-MRAMに広く用いら
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