メモリ不況の夜明けは近い、市場動向から見たDRAMとNANDの挙動
ビッグデータの時代を迎えた2016年以降、メモリ市場が爆発的に成長した（図1）。2017年には、「スーパーサイクル」という流行語が生み出された。どこまで飛躍的な成長が続くのかと思っていたら、2018年後半にバブルがはじけたように、不況に突入していった。 このメモリ不況の原因としては、Intelが10nmプロセスの立ち上げに失敗し続けたため、PC用やサーバ用プロセッサが供給不足となり、それらを当てにして製造されたメモリが市場に溢れて価格暴落を引き起したことによると分析した（拙著記事：「Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況」、2018年12月7日）。 結局、「スーパーサイクル」とは、“スーパー”にメモリ市場がアップダウンする“サイクル”だったと言えよう。つまり、古くから知られている“シリコンサイクル”の一環として、ここ数年のメモリ市場の好況と不況があったということだ。 と
SSDを過去に追いやる「次世代メモリ技術」がHDDの追い風になる (1/2)
関連キーワード SSD | ハードディスク | 半導体ストレージ | DRAM | IBM（アイ・ビー・エム） | Intel（インテル） SSDの企業導入が進む中、その性能を大きく超えるメモリ技術の開発が進んでいる。とはいえ、実用化にはもう少し時間が必要だ 「オールフラッシュに移行すべき」という声が目立つ2016年の夏においても、データメディア市場では、既存の枠組みを打ち破る動きに関係者の多くが関心を寄せている。 NANDフラッシュを利用したフラッシュストレージは、IT関連技術の中では変化のペースが比較的遅いストレージデバイスの世界においても、珍しいぐらいの速さで普及してきた。NANDベースのフラッシュストレージが躍進した理由はたくさんあるが、その中でも特に挙げるとすれば、その高速な転送レートのおかげだ。 登場した当時、NANDベースのフラッシュメモリは市場で最も高価なストレージメディア
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Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発 ～トランジスタ不要の「3D XPoint」技術
