トップサイド冷却パッケージ採用MOSFET
オンセミは、トップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETデバイスシリーズを発表した。上面にサーマルパッドを設けており、PCBを介さずに直接ヒートシンクに放熱できる。 オンセミは2022年11月、トップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETデバイスシリーズを発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2023年1月からの量産を予定している。 今回開発したMOSFETは、サイズ5×7mmで、上面に16.5mm2のサーマルパッドを設けた「TCPAK57」パッケージを採用した。PCB（プリント基板）を介さずに、直接ヒートシンクに放熱できる。PCBの両面を使用でき、PCBに入る熱量を減らすことで電力密度が向上する。 RDS値は1mΩ、Qgは65nC RDS（ON）値は1mΩ、Qg（ゲート電荷）が65nCとなっている。電動パワーステアリングやオイルポンプなどの高出力、中出力のモーター制御に適する
オン抵抗を大幅低減、東芝のSJ－MOSFET
スーパージャンクション構造を採用 東芝は2017年1月、オン抵抗とスイッチング特性を改善した耐圧800Vのスーパージャンクション構造nチャネルパワーMOSFETを発表した。「DTMOS IV」シリーズの製品群として、今回は新たに8製品を追加した。 新製品は、耐圧を維持しつつ、オン抵抗を低減することができるスーパージャンクション構造を採用した。これにより、単位面積当たりのオン抵抗を、同社従来製品「π-MOSVIII」シリーズに比べて、約79％低減できたという。例えば、ドレイン電流17Aの「TK17A80W」は、オン抵抗が0.29Ωである。スイッチング特性の改善により、電源効率を向上させることも可能とした。 新製品は、パッケージが「TO-220SIS」と「TO-220」の2種類を用意している。それぞれにドレイン電流が17A、11.5A、9.5A、6.5Aの製品があり、合計で8製品となる。
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