中国でパワー半導体の新工場稼働 着工からわずか21カ月で
米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。 中国に本社を置く米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（以下、SMC）は2024年6月、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積30万平方フィート（約2.8万m2）のこの新工場は、2022年9月の着工からわずか21カ月で量産に至った。2024年第4四半期には、顧客向けに高性能／高電圧整流器の出荷を開始する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。 投資額は615億円 生産能力4倍に 新工場のウエハー年間生産量は12
トップサイド冷却パッケージ採用MOSFET
オンセミは、トップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETデバイスシリーズを発表した。上面にサーマルパッドを設けており、PCBを介さずに直接ヒートシンクに放熱できる。 オンセミは2022年11月、トップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETデバイスシリーズを発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2023年1月からの量産を予定している。 今回開発したMOSFETは、サイズ5×7mmで、上面に16.5mm2のサーマルパッドを設けた「TCPAK57」パッケージを採用した。PCB（プリント基板）を介さずに、直接ヒートシンクに放熱できる。PCBの両面を使用でき、PCBに入る熱量を減らすことで電力密度が向上する。 RDS値は1mΩ、Qgは65nC RDS（ON）値は1mΩ、Qg（ゲート電荷）が65nCとなっている。電動パワーステアリングやオイルポンプなどの高出力、中出力のモーター制御に適する
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パワーモジュールの放熱技術と材料
