SK Hynix、最高転送レート819GB/sを実現したHBM3 DRAMを開発
SK Hynixは10月20日、第4世代HBMとなる「High Bandwidth Memory 3(HBM3)」を開発したと発表した。 その転送速度は前世代のHBM2Eと比べて78％増となる最高819GB/sで、これは1秒間のうちに163本の5GBのフルHDの映画を転送できる計算だという。また、オンダイエラー訂正コードを使用してデータ(ビット)エラーを訂正することが可能なため、製品の信頼性を向上させることにも成功したという。 なお、HBM3は約30μm厚のDRAMを12チップTSVで積層した24GB品が用意されているほか、16GB品も用意されており、主にデータセンターや、人工知能(AI)、機械学習、スーパーコンピュータなどのプラットフォームで活用されることが期待されるとしている。 HBM3の外観 (出所:SK Hynix)
中国で誕生したDRAMメーカー、ChangXinの野心
中国で誕生したDRAMメーカー、ChangXinの野心：JHICCの“二の舞”は避けたい（1/2 ページ） ChangXin Memory（以下、ChangXin）は、「中国で唯一のDRAMメーカー」として自社の独自性を公式に主張している。中国は、Yangtze Memory Technology（YMTC）が進めるNAND型フラッシュメモリの製造とGigaDeviceが設計するNOR型フラッシュメモリに加え、国産のメモリデバイスの製造計画を誇っているが、こうした成果よりもさらに大きな野心を抱いている。 中国に誕生した“唯一の”DRAMメーカー ChangXin Memory（以下、ChangXin）は、「中国で唯一のDRAMメーカー」として自社の独自性を公式に主張している。 中国は、Yangtze Memory Technology（YMTC）が進めるNAND型フラッシュメモリの製造とG
メモリ不況の夜明けは近い、市場動向から見たDRAMとNANDの挙動
ビッグデータの時代を迎えた2016年以降、メモリ市場が爆発的に成長した（図1）。2017年には、「スーパーサイクル」という流行語が生み出された。どこまで飛躍的な成長が続くのかと思っていたら、2018年後半にバブルがはじけたように、不況に突入していった。 このメモリ不況の原因としては、Intelが10nmプロセスの立ち上げに失敗し続けたため、PC用やサーバ用プロセッサが供給不足となり、それらを当てにして製造されたメモリが市場に溢れて価格暴落を引き起したことによると分析した（拙著記事：「Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況」、2018年12月7日）。 結局、「スーパーサイクル」とは、“スーパー”にメモリ市場がアップダウンする“サイクル”だったと言えよう。つまり、古くから知られている“シリコンサイクル”の一環として、ここ数年のメモリ市場の好況と不況があったということだ。 と
Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況 (1/4) - EE Times Japan
2016年以降、メモリ市場が爆発的に成長を始め、“スーパーサイクル”という言葉が流行した。ところが、2018年に入ると、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、スーパーサイクルどころか、もはやメモリ不況は避けられない事態となった。 これについて、TrendForceなどの調査会社や多くのアナリストたちは、「メモリメーカーがやみくもに設備投資を行ったため、メモリが供給過剰となり、価格下落を引き起している」というような分析をしている。 しかし、本当にそうなのだろうか？ 人類が生み出すデジタルデータは指数関数的に増大し、東京五輪が開催される2020年には44ZB（ゼタバイト＝1021）になるといわれている。また、2020年には、ネットにつながるデバイスが500億個を超え、世界を1兆個のセンサーが覆うと予測されている（図1）。 これらのビッグデータが、世界中のデータセンタにストレージされつつある。そのた
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