東京大学の研究グループは、レーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用い、レジストに描画された潜像を極めて高速に検査できる方法を開発した。この方法を用いると半導体製造の露光工程における検査時間を大幅に短縮できる。 Laser-PEEMを用い、レジストに描画された潜像を高速に可視化 東京大学の研究グループは2024年8月、レーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用い、レジストに描画された潜像を極めて高速に検査できる方法を開発したと発表した。この方法を用いると半導体製造の露光工程における検査時間を大幅に短縮できる。 最先端半導体の製造工程では、回路の線幅が10nm以下という微細加工技術が導入されている。この中で、微細化のカギを握る工程の1つがEUV(極端紫外線)による露光である。微細化と同時にトランジスタの構造は複雑化している。このため、半導体チップの歩留まりや信頼性を向上さ