「LEDがない」フォトカプラ、絶縁性能は40年持続
「LEDがない」フォトカプラ、絶縁性能は40年持続：置き換えるだけで製品寿命を延長（1/2 ページ） Texas Instruments（TI）が、フォトカプラとピン互換性を持つ絶縁ICの新製品を発表した。信号の送信回路／受信回路によってフォトカプラの機能を模擬するもので、LEDを搭載していない。LEDの経年劣化による絶縁性能の低下がなくなるので、システム全体の絶縁寿命を延ばせるという。 Texas Instruments（TI）は2023年9月、絶縁デバイスの新製品「フォトカプラ エミュレータ」を発表した。製品名の通り「フォトカプラの機能を模擬する」アナログCMOSベースの半導体ICで、既存のフォトカプラとピン互換性を持つ。経年劣化を起こすLEDを搭載していないので、フォトカプラ エミュレータに置き換えるだけで、システムの絶縁寿命を延ばすことができるのが大きな特長だ。 フォトカプラ エミ
TIがMicronの3D XPointメモリ工場を買収、Micronは今後CXLメモリに注力
Texas Instruments(TI)は6月30日(米国時間)、米国ユタ州リーハイ(Lehi)にあるMicron Technologyの300mmウェハに対応した3D XPointメモリ製造ファブを9億ドルで買収する契約に署名したと発表した。 買収するのは、今のところクリーンルームを含む建屋群だけで(工場の従業員は原則としてTIが引き継ぐとしている)、製造装置は含まないという。TIとMicronは2021年末までに売買手続きを完了する予定で、TIは同ファブからの最初の売り上げについて、2023年初頭から計上する計画だという。 今回買収されるリーハイのファブは、TIの300mmウェハファブとしては、DMOS6、RFAB1、そして間もなく完成するRFAB2に続く4番目に位置づけられる。主にTIの65～45nmアナログおよび組み込みプロセッサ製品の生産が行われる予定で、将来的には、必要に応じ
1つのシリコンを使い尽くす ―― 米国半導体メーカーの合理的な工夫
1つのシリコンを使い尽くす ―― 米国半導体メーカーの合理的な工夫：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（27）（1/3 ページ） 半導体チップ開発は、プロセスの微細化に伴い、より大きな費用が掛かるようになっている。だからこそ、費用を投じて作ったチップをより有効活用することが重要になってきている。そうした中で、米国の半導体メーカーは過去から1つのチップを使い尽くすための工夫を施している。今回はそうした“1つのシリコンを使い尽くす”ための工夫を紹介していく。 シリコンチップを作るのには、膨大な費用がかかる。最新のチップでは百億円以上の開発費用をかけるものがほとんどだ。14/16nm世代、10/12nm世代、そして次世代の7nm世代では数十億円から数百億円が必要とされる。微細化すると製造コストはウナギ上りである。 筆者が代表を務めるテカナリエでは、チップ調査としてシリコンダイ面積を
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「まったく新しいジャンルのデータコンバータ」、日本TIがインダクタンス/デジタル変換ICを発表
「まったく新しいジャンルのデータコンバータ」、日本TIがインダクタンス/デジタル変換ICを発表：日本TI LDC1000 日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）が発表した「LDC1000」は、インダクタンスをデジタルデータに変換するコンバータICだ。外形寸法は4×5mmで、PCBコイルなどと組み合わせることで、非常に小型の誘導型近接センサーを実現できる。 日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2013年9月17日、インダクタンスを直接デジタルデータに変換するコンバータIC「LDC1000」を発表した。PCBコイルなどと組み合わせて、誘導型近接センサーシステムを構築できる。既存の誘導型近接センサーに必要な回路を、わずか4×5mmの1チップに搭載している点が特徴だ。これまでは、近接センサーをディスクリートで構成するしかなかったため、センサーシステムの小型化は困難だった。 誘導型近接セ
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米TI社，携帯電話機に向けてGPS＋Bluetooth＋FM送受信を1チップに集積したICを発売
